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Nexperia NID1100 Idealdiode mit niedrigem Vorwärtsspannungsabfall

Nexperia NID1100 Idealdioden mit niedrigem Vorwärtsspannungsabfall  wurden für Anwendungen entwickelt, die effizientes Power Management erfordern. Die Nexperia NID1100 arbeitet über einen Eingangsspannungsbereich von 1,5 V bis 5,5 V und unterstützt bis zu 1 A Dauerstrom. Diese Diode verfügt über eine Vorwärts- und Rückwärtsspannungssperre und ist damit ein hervorragender Ersatz für herkömmliche Schottky-Dioden in Niederspannungsanlagen. Der NID1100 bietet einen typischen Vorwärtsspannungsabfall von nur 120 mV bei 3,6 V Eingang und 1 A Laststrom, was die Verlustleistung erheblich reduziert. Die Diode verfügt über robuste Schutzmechanismen wie Kurzschlussstrombegrenzung und Übertemperaturabschaltung. Außerdem ist die NID1100 in einem kompakten SOT753 (SC-74A) Gehäuse erhältlich und funktioniert effizient in einem weiten Temperaturbereich von -40°C bis +125°C.

Merkmale

  • 1,5 V bis 5,5 V Eingangsspannungsbereich
  • Niedriger typischer Durchlassspannungsabfall von 120 mV (VFWD) bei 3,6 V Eingang und 1 A Laststrom
  • Kontinuierliche Sperrung der Sperrspannung, niedriger Ableitstrom bei Vorspannungssperrung
  • Sperrung der Durchlassspannung bei Deaktivierung
  • Niedriger Ruhestrom
  • Verbessertes Einschwingverhalten der Last
  • Kontrollierte Anstiegszeit beim Start
  • Überhitzungsschutz
  • Kurzschlussschutz
  • Unterstützte Konfigurationen mit OR-Gattern
    • Zwei oder mehr NID1100 Bauteile
    • NID1100s und herkömmliche Schottky-Dioden
    • NID1100 und einem externen PMOS
  • SOT753 (SC-74A) 5-poliges oberflächenmontiertes Kunststoffgehäuse
  • -40 °C bis +125 °C Sperrschichttemperaturbereich (TJ)

Applikationen

  • Internet der Dinge (IoT) Systeme
  • Gas und intelligente Zähler
  • CO-Detektoren
  • Batterie-Backup-Systeme
  • USB-betriebene Geräte

Technische Daten

  • 0 V bis 5,5 V Ausgangsspannungsbereich
  • 50 mA bis 1 A maximaler Dauerausgangsstrombereich
  • 1,5 A Maximaler gepulster Schaltstrom
  • 0 V zu 5,5 V EN-Pin Spannungsbereich
  • 0 mA bis 0,5 mA Strombereich in den ST-Pin
  • 0,3 pF bis 100 pF Gesamtkapazitätsbereich an OUT, einschließlich Derating und Toleranzen
  • Eingang-
    • 725 nA maximaler Eingangsruhestrom, 562 nA typisch
    • 250 nA maximaler Eingangsabschaltstrom, 108 nA typisch
  • 70 mV bis 180 mV maximaler FET-Durchlassspannungsabfallbereich
  • Status-Pin
    • 0,3 V Low-Schwellenwert bei maximalem Status
    • ±75 nA Status-Pin-Leckstrom
  • 2,8 A typischer Kurzschlussschutz über Strombegrenzung
  • Typische Übertemperaturabschaltung
    • +175 °C Abschaltung
    • +35 °C Hysterese
  • Wärmewiderstand gemäß JEDEC51-5 und -7
    • 206°C/W Sperrschicht zu Umgebung
    • 111°C/W Sperrschicht zu Spitze Charakterisierungsparameter
  • ESD-Bewertungen
    • ±2.000 V Human Body Model (HBM) nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 Klasse 2
    • ±500 V Charged-Device Model (CDM) gemäß ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 Klasse C2a

Vereinfachtes Anwendungsdiagramm

Applikations-Schaltungsdiagramm - Nexperia NID1100 Idealdiode mit niedrigem Vorwärtsspannungsabfall

Blockdiagramm

Blockdiagramm - Nexperia NID1100 Idealdiode mit niedrigem Vorwärtsspannungsabfall

Development Tool

Nexperia NEVB-NID1100UL Evaluierungsboard

Erleichtert das Testen und Bewerten idealer NID1100-Dioden.

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Veröffentlichungsdatum: 2025-04-02 | Aktualisiert: 2025-04-08