Nexperia MJD148 NPN 4-A-Hochleistungs-Bipolartransistor mit 45 V

Der Nexperia MJD148 NPN 4-A-Hochleistungs-Bipolartransistor mit 45 V ist in einem oberflächenmontierbaren (SMD) Power-DPAK-TO-252-Kunststoffgehäuse (SOT428C) verfügbar. Diese Bauteile bieten eine hohe thermische Verlustleistungsfestigkeit, reduzierte PCB-Anforderungen und eine hohe Energieeffizienz aufgrund der niedrigen Wärmeentwicklung. Der MJD148 von Nexperia verfügt über eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und schnelle Schaltgeschwindigkeiten. Typische Applikationen für diese Bauteile sind Leistungsmanagement, Lastschalter, Linearmodus-Spannungsregler, Hintergrundbeleuchtungen mit Konstantstromantrieb, Motorantriebe und Ersatz für Relais. Der bipolare Transistor MJD148-Q ist nach AEC-Q101 qualifiziert.

Merkmale

  • Hohe thermische Verlustleistungsbeständigkeit
  • Hohe Energieeffizienz aufgrund der niedrigen Wärmeentwicklung
  • Elektrisch ähnliche Werte wie die gängige MJD148-Baureihe
  • Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
  • MJD148-Q: AEC-Q101 qualifiziert

Applikationen

  • Leistungsmanagement
  • Lastschalter
  • Linearmodus-Spannungsregler
  • Hintergrundbeleuchtungen mit Konstantstromantrieb
  • Motorantrieb
  • Ersatz für Relais

Kurzreferenzdaten

Tabelle - Nexperia MJD148 NPN 4-A-Hochleistungs-Bipolartransistor mit 45 V
Veröffentlichungsdatum: 2021-06-08 | Aktualisiert: 2022-09-01