MJD148 NPN 4-A-Hochleistungs-Bipolartransistor mit 45 V

Der Nexperia MJD148 NPN 4-A-Hochleistungs-Bipolartransistor mit 45 V ist in einem oberflächenmontierbaren (SMD) Power-DPAK-TO-252-Kunststoffgehäuse (SOT428C) verfügbar. Diese Bauteile bieten eine hohe thermische Verlustleistungsfestigkeit, reduzierte PCB-Anforderungen und eine hohe Energieeffizienz aufgrund der niedrigen Wärmeentwicklung. Der MJD148 von Nexperia verfügt über eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und schnelle Schaltgeschwindigkeiten. Typische Applikationen für diese Bauteile sind Leistungsmanagement, Lastschalter, Linearmodus-Spannungsregler, Hintergrundbeleuchtungen mit Konstantstromantrieb, Motorantriebe und Ersatz für Relais. Der bipolare Transistor MJD148-Q ist nach AEC-Q101 qualifiziert.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Konfiguration Maximaler Kollektorgleichstrom (DC) Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Emitter-Basisspannung VEBO Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Pd - Verlustleistung Bandbreitengewinnungsprodukt fT Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Qualifikation Verpackung
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 45V 4A NPN HI PWR BJT 2.014Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 2.014
Rolle: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 7 A 45 V 6 V 500 mV 1.6 W 3 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT428 45V 4A NPN HI PWR BJT 2.116Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 2.116
Rolle: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 4 A 45 V 6 V 500 mV 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel