Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Der MOSFET der Baureihe BUK6Q26-40PJ von Nexperia ist ein P-Kanal-Enhancement-Mode-FET für Fahrzeuganwendungen in einem MLPAK33-SMD-Kunststoffgehäuse (SOT8002-3), der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt. Dieser MOSFET bietet Logikpegelkompatibilität und verfügt über seitlich benetzbare Flanken für die optische Lötstelleninspektion. Der MOSFET der Baureihe BUK6Q26-40PJ arbeitet im Normalbetrieb im negativen Modus mit Drain-Source-Spannung (VDS). Dieser MOSFET wird in einem thermisch effizienten Gehäuse mit kleiner Baugröße (3,3 mm x 3,3 mm Footprint) angeboten. Der MOSFET BUK6Q26-40PJ ist nach AEC-Q101 qualifiziert und für Fahrzeuganwendungen geeignet. Dieser MOSFET ist ideal für den Verpolungsschutz, für Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber, High-Side-Lastschalter und Relaistreiber.
Merkmale
- Logikpegel-kompatibel
- Trench-MOSFET-Technologie
- Seitlich benetzbare Flanken zur optischen Lötstelleninspektion
- Drain-Source-Spannung (VDS) von -40 V bei 25 °C ≤ Tj ≤ 175 °C
- -34 A Quellenstrom (Is) bei Tmb= 25 °C
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 175 °C
- Typische Gesamtverlustleistung von 56 W bei Tmb= 25 °C
- Thermisch effizientes Gehäuse mit kleiner Baugröße (3,3 mm x 3,3 mm Footprint)
- AEC-Q101-qualifiziert
Applikationen
- Verpolungsschutz
- Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber
- High-Side-Lastschalter
- Relaistreiber
Abmessungen
P-Kanal-MOSFETs
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
30-V-p-Kanal-FET in einem MLPAK33-SMD-Kunststoffgehäuse (SOT8002-3) mit Trench-MOSFET-Technologie.
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-24
| Aktualisiert: 2025-08-19