Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET

Der MOSFET BUK6Q12-40PJ von Nexperia ist ein 40-V-P-Kanal-FET für Fahrzeuganwendungen in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse, der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt. Dieser MOSFET bietet Logikpegelkompatibilität und verfügt über seitlich benetzbare Flanken für die optische Lötstelleninspektion. Der MOSFET BUK6Q12-40PJ arbeitet im Normalbetrieb im negativen Modus mit Drain-Source-Spannung (V_DS). Der Strom fließt, wenn eine negative Spannung relativ zur Quelle an das Gate angelegt wird (V_GS). Die maximale Spannung, die sicher zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen angelegt werden kann, beträgt 40 V. Dieser MOSFET wird in einem thermisch effizienten Gehäuse mit kleiner Baugröße (3,3 mm x 3,3 mm Footprint) angeboten. Der MOSFET der Baureihe BUK6Q12-40PJ ist nach AEC-Q101 qualifiziert. Dieser MOSFET ist ideal für den Verpolungsschutz, für Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber, High-Side-Lastschalter und Relaistreiber.