MACOM X-Band GaN-HEMTs und MMICs
Die breiten Banklücken der X-Band GaN-HEMTs und MMICs von Wolfspeed/Cree erhöhen die Durchschlagfeldstärke um das Fünffache und die Leistungsdichte um einen Faktor von 10 bis 20 gegenüber vergleichbaren GaAs-basierten Geräten. GaN-Komponenten von Cree sind kleiner und haben eine geringere Kapazität für dieselbe Betriebsleistung. Dies bedeutet, dass Verstärker über eine größere Bandbreite arbeiten können und eine sehr gute Eingangs- und Ausgangsanpassung zeigen. Aufgrund der bedeutenden Vorteile der GaN HEMTs und MMICs werden ineffiziente GaAs pHEMTs und unzuverlässige Wanderfeldröhren immer weniger in X-Band-Leistungsverstärkern eingesetzt.
MACOM GaN HEMTs and MMICs feature a wide bandgap that increases the breakdown field by 5x and the power density by a factor of 10 to 20 compared to GaAs-based devices. The GaN components are smaller and have a lower capacitance for the same operating power. They can operate over a wider bandwidth while exhibiting good input and output matching. Typical applications include weather, defense and commercial-based systems, air traffic control, and fire control.
Merkmale
- MMICs
- Multi-stage
- Variety of power levels
- High gain
- High efficiency
- IM-FETs
- 50Ω building blocks in support of higher power systems
- Highly accurate modeling support
- Maximum flexibility to optimize amplifier design
Applikationen
- Pulsed and CW X-band radars
- Marine, ground, and airborne radar platforms
- Weather
- Air traffic control
- Fire control
- Defense and commercial-based systems
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MACOM GaN-HEMTs
Bieten eine höhere Leistungsdichte und höhere Bandbreiten im Vergleich zu Si- und GaAs-Transistoren.
MACOM MMICs auf GaN-HEMT-Basis
Erlaubt extrem hohe Bandbreiten in kleinen Footprint-Gehäusen.
Veröffentlichungsdatum: 2016-08-08
| Aktualisiert: 2024-01-22