MMICs auf GaN-HEMT-Basis

Die auf der Basis von Galliumnitrid (GaN) und HEMT (High Electron Mobility Transistor) aufgebauten MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits) von Cree erlauben extrem hohe Bandbreiten in kleinen Footprint-Gehäusen. GaN hat überlegene Eigenschaften im Vergleich zu Silizium oder Galliumarsenid, inklusive höherer Durchlassspannung, höherer gesättigter Elektronendriftgeschwindigkeit und höherer Wärmeleitfähigkeit. Die GaN-HEMTs verfügen auch über eine höhere Leistungsdichte und höhere Bandbreiten im Vergleich zu Si- und GaAs-Transistoren.
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Menge RoHS ECAD Model Betriebsfrequenz
Betriebsversorgungsspannung
Betriebsversorgungsstrom
Verstärkung
Typ
Montageart
Technologie
P1dB - Kompressionspunkt
OIP3 - Ausgangsschnittpunkt der dritten Ordnung (Third Order Intercept)
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
MACOM HF-Verstärker GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 25 Watt
Datenblatt
10Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

20 MHz to 6 GHz 50 V 500 mA 17 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 32 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM HF-Verstärker GaN MMIC Power Amp 2.5-6.0GHz, 25 Watt
Datenblatt
9Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2.5 GHz to 6 GHz 28 V 1.2 A 24 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 26 dBm - 55 C + 150 C Tray
MACOM HF-Verstärker GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
Datenblatt
1Auf Lager
10erwartet ab 24.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

6 GHz to 12 GHz 28 V 2 A 34 dB Power Amplifiers Screw GaN 46.2 dBm 22 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM HF-Verstärker GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 2 Watt
Datenblatt
2Auf Lager
50erwartet ab 24.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

20 MHz to 6 GHz 28 V 100 mA 17 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 23 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM HF-Verstärker GaN MMIC Power Amp 13.75-14.5GHz 25Watt
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

13.75 GHz to 14.5 GHz 40 V 240 mA 24 dB Power Amplifiers Screw GaN - 15 dBm - 40 C + 85 C Tray