MACOM CGHV40200PP GaN-HEMT
Wolfspeed/Cree CGHV40200PP GaN Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT) ist für Breitband-HF- und Mikrowellen-Applikationen konzipiert und wird über eine 50-V-Schiene betrieben. Der GaN-HEMT bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Verstärkung und eine große Bandbreite. Diese Eigenschaften machen den CGHV40200PP ideal für lineare und komprimierte Verstärkerschaltungen. Verfügbar ist der CGHV40200PP GaN-HEMT in einem 4-poligen Flanschgehäuse. Typische Applikationen sind Zwei-Wege-Funk, Breitbandverstärker, Radarverstärker und Test-Instrumentierung.
Merkmale
- Up to 2.7GHz operation
- 21dB small signal gain at 1.8GHz
- 250W typical Psat
- 50V operation
Applikationen
- 2-way private radio
- Broadband amplifiers
- Radar amplifiers
- Test instrumentation
- Class A, AB, and linear amplifiers suitable for OFDM, W-CDMA, EDGE, and CDMA waveforms
Technische Daten
- 200W power output
- 125V drain-source voltage at +25°C
- +225°C operating junction temperature
- +245°C soldering temperature
Veröffentlichungsdatum: 2017-09-26
| Aktualisiert: 2024-01-22