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CGHV40200PP

Name: MACOM CGHV40200PP
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV40200PP
Price: 518.55 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-CGHV40200PP

Herst.- Nr.:

CGHV40200PP

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

Datenblatt:

CGHV40200PP Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
Versandbeschränkungen:	Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	440199
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8.7 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 3 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	166 W
Marke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Entwicklungs-Kit:	CGHV40200PP-AMP1
Verstärkung:	16.1 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	1.9 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	1.7 GHz
Ausgangsleistung:	250 W
Verpackung:	Tray
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V, 2 V

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Datenblatt

CGHV40200PP Datenblatt (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

CGHV40200PP GaN-HEMT

Wolfspeed/Cree CGHV40200PP GaN Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT) ist für Breitband-HF- und Mikrowellen-Applikationen konzipiert und wird über eine 50-V-Schiene betrieben. Der GaN-HEMT bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Verstärkung und eine große Bandbreite. Diese Eigenschaften machen den CGHV40200PP ideal für lineare und komprimierte Verstärkerschaltungen. Verfügbar ist der CGHV40200PP GaN-HEMT in einem 4-poligen Flanschgehäuse. Typische Applikationen sind Zwei-Wege-Funk, Breitbandverstärker, Radarverstärker und Test-Instrumentierung.
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