IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
Der IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET ist ein Industriestandard-SiC-MOSFET mit Einzelschalter, der sich durch Leistungszykluseigenschaften und ein sehr schnelles, verlustarmes Schaltverhalten auszeichnet. Dieser MOSFET verfügt über geringe Leitungsverluste, niedrige Gate-Treiber-Leistungsanforderungen und einen geringen Wärmemanagementaufwand und ist für die Gate-Steuerung optimiert. Der IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET wird für industrielle Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteile verwendet. Der SiC-MOSFET eignet sich hervorragend für Solarwechselrichter, Schaltnetzteile, USV, Motorantriebe, DC/DC-Wandler, EV-Ladeinfrastruktur und Induktionserwärmung.
Merkmale
- 1.200 V Drain-Source-Spannung
- Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS (on): 30 mΩ
- SiC-MOSFET-Technologie mit -3/+15 bis 18 V gate-drive
- 3.000 pF Niedrige Eingangskapazität von Ciss
- Tvj = 175 °C Maximale virtuelle Sperrschichttemperatur
- Hohe Sperrspannung mit niedrigem Einschaltwiderstand
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
- Ultraschnelle intrinsische Bodydiode mit trr = 54,8 ns
- Kelvin-Quellenverbindung
- Feuchteempfindlichkeit 1 (MSL 1) eingestuft
- 395 W Gesamte Verlustleistung bei TC = 25 °C
Applikationen
- Solar-Wechselrichter
- Schaltnetzteile
- USV
- Motorantriebe
- DC/DC-Wandler
- EV-Ladeinfrastruktur
- Induktionserwärmung
Maßbild
Verwandter SiC-MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
Veröffentlichungsdatum: 2025-02-28
| Aktualisiert: 2025-03-17