IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
Der IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET von IXYS ist ein Industriestandard-SiC-MOSFET mit Einzelschalter, der sich durch gute Leistungszykluseigenschaften und ein sehr schnelles, verlustarmes Schaltverhalten auszeichnet. Dieser MOSFET wird für den Einsatz in industriellen Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteilen empfohlen. Der IXSA40N120L2-7 MOSFET verfügt über geringe Leitungsverluste, niedrige gate-Treiber-Leistungsanforderungen und einen geringen Wärmemanagementaufwand und ist für die Gate-Steuerung optimiert. Dieser SiC-MOSFET eignet sich hervorragend für Solarwechselrichter, Schaltnetzteile, USV, Motorantriebe, DC/DC-Wandler, EV-Ladeinfrastruktur und Induktionserwärmung.
Merkmale
- SiC-MOSFET-Technologie mit -3/+15 bis 18 V Gate-Drive
- 1.200 V Drain-Source-Spannung
- Drain-Source-Einschaltwiderstand RDS (on): 80 mΩ
- Hohe Sperrspannung mit niedrigem Einschaltwiderstand
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
- 250 W Gesamte Verlustleistung bei TC = 25 °C
- Maximale virtuelle Sperrschichttemperatur von 175 °C
- Niedrige Eingangskapazität von Ciss = 1.160 pF
- Ultraschnelle intrinsische Bodydiode
- Kelvin-Quellkontakt
- Feuchteempfindlichkeit 1 (MSL1) eingestuft
Applikationen
- Solar-Wechselrichter
- Schaltnetzteile
- USV
- Motorantriebe
- DC/DC-Wandler
- EV-Ladeinfrastruktur
- Induktionserwärmung
Maßbild
Verwandter SiC-MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 30 mΩ, 79 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
Veröffentlichungsdatum: 2025-03-03
| Aktualisiert: 2025-03-17