Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ Leistungs-MOSFETs bieten die modernste Innovation der nächsten Generation und eine erstklassige Performance. Die OptiMOS 6 Produktfamilie nutzt die Dünnwafer-Technologie, die wesentliche Leistungsvorteile ermöglicht. Verglichen mit alternativen Produkten liefern die OptiMOS 6 Leistungs-MOSFETs einen um 30 % reduzierten RDS(ON) und sind für die Synchrongleichrichtung optimiert.

Darüber hinaus verfügen die Bauteile über verbesserte Gütezahlen (FOM - RDS(on) x Qg und Qgd). Dadurch profitieren Designer von einem höheren Wirkungsgrad und reduzierten Systemkosten. Der OptiMOS 6 behält den Vorteil der Ausgabe einer höheren Leistung bei, bei der die RDS(on)-Verluste dominieren, was eine bessere Performance im gesamten Betriebsbereich ermöglicht.

40-V-LEISTUNGS-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 40-V-Leistungs-MOSFETs sind für zahlreiche Applikationen und Schaltungen optimiert. Dazu gehören die Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen (SNT) für Server, Desktop-PCs, drahtlose Ladegeräte, Schnellladegeräte und ORing-Schaltungen. OptiMOS 6 ist die perfekte Lösung für die Optimierung des Wirkungsgrads in SNT-Applikationen über einen großen Ausgangsleistungsbereich, wodurch der Kompromiss zwischen niedrigen und hohen Lastbedingungen vermieden werden kann.

Die OptiMOS 6 40-V-Leistungs-MOSFETs sind in zwei unterschiedlichen Gehäusen erhältlich: SuperSO8 - 5 x 6 mm mit einem RDS(on) von 5,9 mΩ bis zu 0,7 mΩ und PQFN 3x3, 3,3 x 3,3 mm mit RDS(on) von 6,3 mΩ bis zu 1,8 mΩ.

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80V Power MOSFETs

The OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs set industry benchmark performance with a wide portfolio offering, including PQFN 3.3mm x 3.3mm, SuperSO8, PQFN 5mm x 6mm Dual-Side Cooling, and PQFN 3.3mm x 3.3mm Source-Down. The 80V family is ideal for high switching frequency applications such as telecom, servers, and solar. The performance improvements of OptiMOS™ 6 80V also demonstrate benefits in battery management systems (BMS).

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100V Power MOSFETs

The OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V family targets applications such as switch-mode power supply (SMPS), solar, power tools, and battery management systems. The enhanced performance yields efficiency improvement, allowing easier thermal design and less paralleling, reducing system costs.

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120V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 120V Power MOSFET family is suitable for hard- and soft-switching applications at high- and low-switching frequencies. These MOSFETs are available in both normal and logic levels. These devices can be used in various applications such as industrial power supplies, solar, power chargers, low-voltage drives, and power tools.

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135V POWER MOSFETS

Infineon OptiMOS 6 135V Power MOSFET targets high-power motor-drive applications such as LEVs, e-forklifts, power and gardening tools, and UPS, which predominantly use 72V and 84V batteries. This product family effectively bridges the gap between 120V and 150V MOSFETs and provides high performance with the lowest Rds(on), enabling efficient power handling and reduced power dissipation.

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150V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs feature industry-leading low RDS(on), improved switching performance, and excellent EMI behavior, which contribute to unparalleled efficiency, power density, and reliability. Applications include Light Electric Vehicles (LEV), motor control, power tools, energy storage systems, power conversion, industrial power supplies, server Power Supply Units (PSUs), telecommunication infrastructures, and photovoltaic applications.

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200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Qrr), low on‑resistance RDS(on), and improved capacitance linearity. The 200V variants address the need for high power density, high efficiency, and high reliability. Conduction and switching losses can be reduced without compromising EMI. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for paralleling.

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Merkmale

  • Vergleich mit alternativen Produkten:
    • RDS(on) um 30 % reduziert
    • FOM Qg x RDS(on) um 29 % verbessert
    • FOM Qgd x RDS(on) um 46 % verbessert
  • Optimiert für Synchrongleichrichtung
  • Eignet sich hervorragend für ORing-Schaltungen
  • RoHS-konform, halogenfrei
  • MSL1-klassifiziert
  • Höchster Systemwirkungsgrad
  • Weniger Parallelbetrieb erforderlich
  • Höhere Leistungsdichte
  • Sehr geringes Spannungsüberschwingen
  • Reduziert den Bedarf für eine Snubber-Schaltung
  • Reduzierung der Systemkosten

Applikationen

  • SNT
  • Server
  • Telekommunikation
  • Ladegerät
  • Antriebe
  • Multikopter
  • Kabelloses Laden

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Spannungsvergleich

Tabelle - Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFETs

SYSTEMWIRKUNGSGRAD

Tabelle - Infineon Technologies OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2019-04-02 | Aktualisiert: 2025-12-10