EVAL 2ED2101 HB-LLC-Evaluierungsboard
Das Infineon Technologies EVAL 2ED2101 HB-LLC-Evaluierungsboard demonstriert die Schaltleistung des 2ED2101S06F SOI-High-Side- und Low-Side-Gate-Treibers. Der 2ED2101S06F ist ein Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber mit unabhängigen High-Side- und Low-Side-referenzierten Ausgangskanälen mit Resonanzspeicher-Schaltfrequenzen im 500-kHz-Bereich.
KEINE ERGEBNISSE GEFUNDEN..
Versuchen Sie Ihren Suchbegriff unten zu ändern oder besuchen Sie unser Help Center.
Versuchen Sie Ihren Suchbegriff unten zu ändern oder besuchen Sie unser Help Center.
Suchvorschläge
- Überprüfen Sie die Schreibung der Einzelteilnummern (Bestellnummern) oder Stichwörter
- Verwenden Sie weniger oder andere Stichwörter
- Suchen Sie jeweils nur nach einer Einzelteilnummer
- Verwenden Sie jeweils nur einen Filter