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Diodes Incorporated DMT26M0LDG Asymmetrische duale N-Kanal-MOSFETs

Die asymmetrischen, dualen N-Kanal-MOSFETs DMT26M0LDG von Diodes Inc. sind so konzipiert, dass sie den Einschaltwiderstand [RDS(ON)] minimieren und dennoch ein überlegenes Betriebsverhalten gewährleisten. Die MOSFETs verfügen über eine Drain-Source-Durchschlagspannung (BVDSS) von 25 V. Der statische Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)] beträgt für Q1 6 mΩ bei VGS = 10 V, 7,5 mΩ bei VGS = 4,5 V oder für Q2 2,0 mΩ bei VGS = 10 V, 3,1 mΩ bei VGS = 4,5 V. Der Dauersenkenstrom (ID) beträgt für Q1 11,6 A bei VGS = 10 V, 10,4 A bei VGS = 4,5 V oder für Q2 20,1 A bei VGS = 10 V, 16,1 A bei VGS = 4,5 V. Diese Werte machen diese Bauteile von Diodes Inc. DMT26M0LDG ideal für Applikationen mit hocheffizientem Energiemanagement.

Merkmale

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Niedrige Eingangskapazität
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Kriechverlust Eingangs-/Ausgangsleckage
  • RoHS-konform und bleifreie Ausführung
  • Halogen- und antimonfreies, umweltfreundliches Gerät

Technische Daten

  • PowerDI® 3333-8-Gehäuse
  • Gehäusematerial aus formgepresstem Kunststoff mit grüner Formmasse und mit einer Entflammbarkeitsklassifizierung nach UL 94V-0
  • Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 gemäß J-STD-020
  • Mattes, weichgeglühtes Zinn-Finish auf Kupfer-Leadframe-Anschluss; lötbar gemäß MIL-STD-202, Methode 208.
  • Gewicht: 0,072 Gramm (ca.)

Schaltung

Schaltplan - Diodes Incorporated DMT26M0LDG Asymmetrische duale N-Kanal-MOSFETs

Gehäuseabmessungen

Tabelle - Diodes Incorporated DMT26M0LDG Asymmetrische duale N-Kanal-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-23 | Aktualisiert: 2025-10-08