DMT26M0LDG Asymmetrische duale N-Kanal-MOSFETs
Die asymmetrischen, dualen N-Kanal-MOSFETs DMT26M0LDG von Diodes Inc. sind so konzipiert, dass sie den Einschaltwiderstand [RDS(ON)] minimieren und dennoch ein überlegenes Betriebsverhalten gewährleisten. Die MOSFETs verfügen über eine Drain-Source-Durchschlagspannung (BVDSS) von 25 V. Der statische Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)] beträgt für Q1 6 mΩ bei VGS = 10 V, 7,5 mΩ bei VGS = 4,5 V oder für Q2 2,0 mΩ bei VGS = 10 V, 3,1 mΩ bei VGS = 4,5 V. Der Dauersenkenstrom (ID) beträgt für Q1 11,6 A bei VGS = 10 V, 10,4 A bei VGS = 4,5 V oder für Q2 20,1 A bei VGS = 10 V, 16,1 A bei VGS = 4,5 V. Diese Werte machen diese Bauteile von Diodes Inc. DMT26M0LDG ideal für Applikationen mit hocheffizientem Energiemanagement.
