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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
Datenblatt
2.860erwartet ab 17.07.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 25 V 11.6 A, 20.1 A 7.5 Ohms - 12 V, 12 V 2.2 V 7.1 nC, 15.9 nC - 55 C + 150 C 1.24 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
Datenblatt
3.000erwartet ab 17.07.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 25 V 11.6 A, 20.1 A 7.5 Ohms - 12 V, 12 V 2.2 V 7.1 nC, 15.9 nC - 55 C + 150 C 1.24 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel