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Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-E-Mode-MOSFET

Der Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-MOSFET mit Anreicherungsmodus ist für Applikationen mit hohem Wirkungsgrad konzipiert. Der DMTH64M2LPDW integriert zwei MOSFETs in einem einzigen PowerDI®-Gehäuse mit den Abmessungen von 5 mm x 6 mm und bietet eine kompakte Größe sowie eine hervorragende thermische Leistung. Jeder Kanal verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand [RDS(on)] und eine Hochstrombelastbarkeit, die sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung in DC/DC-Wandlern, das Leistungsmanagement in Rechenleistungssystemen und Batterieschutzschaltungen. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von bis zu 60 V und einemDauersenkenstrom von bis zu 90 A gewährleistet dieses Bauteil von Diodes Inc ein schnelles Schalten und geringe Leitungsverluste. Das robuste Design in Kombination mit einer niedrigen Gate-Ladung und einer hohen Avalanche-Energie-Spezifikation bietet einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen wie Server-Motherboards, Grafikkarten und tragbarer Elektronik.

Merkmale

  • 100 % UIS-Test (Unclamped Inductive Switching) in der Produktion- gewährleistet eine zuverlässigere und robustere Endanwendung
  • Thermisch effizientes Gehäuse – kühler laufende Applikationen
  • Hoher Wirkungsgrad bei der Umwandlung
  • Niedriger RDS(ON) – reduziert die Widerstandsverluste
  • Niedrige Eingangskapazität
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • < 1,1 mm gehäuseprofil="" –="" ideal="" für="" dünne="">
  • Vollständig RoHS-konform und völlig bleifrei
  • Halogen- und antimonfreies Bauteil aus „Green”-Material

Applikationen

  • Kabelloses Laden
  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsmanagement

Technische Daten

  • 60 V maximale Drain-Source-Spannung
  • ±20 V maximale Gate-Source-Spannung
  • 360 A maximaler gepulster Drainstrom
  • 90 A maximaler kontinuierlicher Durchlassstrom der Bodydiode
  • 360 A maximaler gepulster Durchlassstrom der Bodydiode
  • 49 A maximaler Avalanche-Strom
  • 125 mJ maximale Avalanche-Energie
  • Gesamter Verlustleistungsbereich von 2,9 W bis 74 W
  • AUS-Eigenschaften
    • 60 V minimale Drain-Source-Durchschlagspannung
    • 1 µA maximaler Drainstrom bei null Gate-Spannung
    • ±100 nA maximaler Gate-Source-Kriechverlust
  • EIN-Eigenschaften
    • Gate-Schwellenspannungsbereich von 1,2 V bis 2,2 V
    • Maximaler statischer Drain-Source-Einschaltwiderstandsbereich von 5,0 mΩ bis 7,8 mΩ
    • 1,2 V maximale Diodendurchlassspannung
  • Thermischer Widerstand
    • Übergang–Umgebung: 51 °C/W
    • Übergang–Gehäuse: 2,04 °C/W
  • Dynamische Eigenschaften
    • 2963 pF typische Eingangskapazität
    • 1070 pF typische Ausgangskapazität
    • 68 pF typische Rückwirkkapazität
    • 0,97 Ω typischer Gate-Widerstand
    • 25 nC bis 48 nC typischer Gesamt-Gate-Ladungsbereich
    • 8,5 nC typische Gate-Source-Ladung
    • 7,2 nC typische Gate-Drain-Ladung
    • Typische Einschaltverzögerungszeit: 5,2 ns
    • 22 ns typische Einschaltanstiegszeit
    • 55 ns typische Abschaltverzögerungszeit
    • 38 ns typische Abschaltabfallzeit
    • 56 ns typische Sperrverzögerungszeit
    • 141 nC typische Sperrverzögerungsladung
  • -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
  • PowerDI5060-8/SWP-Gehäuse (Typ UXD)
  • UL 94V-0-geprüfter Spritzguss aus Kunststoff, „Green“-Molding-Compound
  • Matte Zinn-Anschlussbeschichtung über einen Kupfer-Anschlussrahmen geglüht, lötbar gemäß MIL-STD-202 Methode 208
Veröffentlichungsdatum: 2025-10-22 | Aktualisiert: 2025-10-31