Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

DMTH64M2LPDW-13

Name: Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH64M2LPDW-13
Price: 2.12 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMTH64M2LPDW-13

Herst.- Nr.:

DMTH64M2LPDW-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

DMTH64M2LPDW-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW-13

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: 0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 2.500

erwartet ab 27.03.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 24

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	2,12 €	2,12 €
	1,36 €	13,60 €
	0,929 €	92,90 €
	0,768 €	384,00 €
	0,676 €	676,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,666 €	1.665,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerDI5060-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	90 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	48 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	74 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	38 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	22 ns
Serie:	DMTH64M2LPDW
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	55 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.2 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

DMTH64M2LPDW-13 Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000

DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-E-Mode-MOSFET

Der Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual-n-Kanal-MOSFET mit Anreicherungsmodus ist für Applikationen mit hohem Wirkungsgrad konzipiert. Der DMTH64M2LPDW integriert zwei MOSFETs in einem einzigen PowerDI^®-Gehäuse mit den Abmessungen von 5 mm x 6 mm und bietet eine kompakte Größe sowie eine hervorragende thermische Leistung. Jeder Kanal verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand [R_DS(on)] und eine Hochstrombelastbarkeit, die sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung in DC/DC-Wandlern, das Leistungsmanagement in Rechenleistungssystemen und Batterieschutzschaltungen. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von bis zu 60 V und einemDauersenkenstrom von bis zu 90 A gewährleistet dieses Bauteil von Diodes Inc ein schnelles Schalten und geringe Leitungsverluste. Das robuste Design in Kombination mit einer niedrigen Gate-Ladung und einer hohen Avalanche-Energie-Spezifikation bietet einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen wie Server-Motherboards, Grafikkarten und tragbarer Elektronik.