Diodes Incorporated DMTH61M8LPS n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET
Der DMTH61M8LPS n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET von Diodes Incorporated ist zur Reduzierung des Einschaltwiderstands (RDS(ON)) bei gleichzeitiger erstklassiger Schaltleistung ausgelegt. Die Funktionen umfassen einen hohen Umwandlungswirkungsgrad, eine niedrige Eingangskapazität und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Dieser n-Kanal-MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben. Der DMTH61M8LPS MOSFET eignet sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad, wie z. B. Motormanagementsysteme, Karosseriesteuerungselektronik und DC/DC-Wandler.
Merkmale
- Mit 175 °C eingestuft, ist er ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen
- 100 % UIS-Test (Unclamped Inductive Switching, UIS) in der Produktion, der eine zuverlässigere und robustere Endanwendung gewährleistet
- Hoher Wirkungsgrad bei der Umwandlung
- Niedriger RDS (ON) reduziert Durchlassverluste
- Niedrige Eingangskapazität
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
Applikationen
- Motorsteuerungssysteme
- Karosseriesteuerelektronik
- DC/DC-Wandler
Typische Ausgangseigenschaften
Veröffentlichungsdatum: 2020-10-20
| Aktualisiert: 2024-08-16