DMTH61M8LPS-13

Diodes Incorporated
621-DMTH61M8LPS-13
DMTH61M8LPS-13

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

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Diodes Incorporated
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
60 V
225 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
115.5 nC
- 55 C
+ 175 C
187.5 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Diodes Incorporated
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 51.7 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 23.9 ns
Serie: DMTH61M8LPS
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 108.3 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10.3 ns
Gewicht pro Stück: 97 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

DMTH61M8LPS n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Der DMTH61M8LPS n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET von Diodes Incorporated ist zur Reduzierung des Einschaltwiderstands (RDS(ON)) bei gleichzeitiger erstklassiger Schaltleistung ausgelegt. Die Funktionen umfassen einen hohen Umwandlungswirkungsgrad, eine niedrige Eingangskapazität und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Dieser n-Kanal-MOSFET wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben. Der DMTH61M8LPS MOSFET eignet sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad, wie z. B. Motormanagementsysteme, Karosseriesteuerungselektronik und DC/DC-Wandler.