Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N-Kanal -AnreicherungsModus -MOSFET

Diodes Incorporated DMN1057UCA3 n-Kanal-MOSFET mit Anreicherungsmodus ist darauf ausgelegt, den Einschaltwiderstand (R_DS(ON)) zu reduzieren und eignet sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad. Dieser MOSFET verfügt über eine geringe Gate-Ladung und eine geringe Gate-Drain-Ladung für eine schnelle Schaltleistung. Der DMN1057UCA3 MOSFET verfügt über ein kompaktes und ultraflaches Design mit einer Höhe von nur 0,26 mm und ist daher ideal für Applikationen mit begrenztem Platzangebot. Dieser MOSFET bietet eine Verlustleistung von bis zu 1,81 W und einen thermischen Widerstand von bis zu 198,6 °C/W. Der DMN1057UCA3 N-Kanal MOSFET wird im Batteriemanagement Last Schalter und Batterie Schutzapplikationen verwendet.