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DMN1057UCA3-7

Name: Diodes Incorporated DMN1057UCA3-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN1057UCA3-7
Price: 0.4 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMN1057UCA3-7

Herst.- Nr.:

DMN1057UCA3-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0607-3 T&R 10K

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

DMN1057UCA3-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,404 €	0,40 €
	0,299 €	2,99 €
	0,169 €	16,90 €
	0,114 €	57,00 €
	0,087 €	87,00 €
	0,077 €	192,50 €
	0,067 €	335,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	0,061 €	610,00 €
	0,055 €	1.100,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	X4-DSN0607-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	102 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.3 V
Qg - Gate-Ladung:	1.47 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.81 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	12.7 ns
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	2.6 ns

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Datenblatt

DMN1057UCA3-7 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMN1057UCA3 N-Kanal -AnreicherungsModus -MOSFET

Diodes Incorporated DMN1057UCA3 n-Kanal-MOSFET mit Anreicherungsmodus ist darauf ausgelegt, den Einschaltwiderstand (R_DS(ON)) zu reduzieren und eignet sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad. Dieser MOSFET verfügt über eine geringe Gate-Ladung und eine geringe Gate-Drain-Ladung für eine schnelle Schaltleistung. Der DMN1057UCA3 MOSFET verfügt über ein kompaktes und ultraflaches Design mit einer Höhe von nur 0,26 mm und ist daher ideal für Applikationen mit begrenztem Platzangebot. Dieser MOSFET bietet eine Verlustleistung von bis zu 1,81 W und einen thermischen Widerstand von bis zu 198,6 °C/W. Der DMN1057UCA3 N-Kanal MOSFET wird im Batteriemanagement Last Schalter und Batterie Schutzapplikationen verwendet.