Analog Devices Inc. ADRF5130 Reflektierende Silizium-SPDT-Schalter

Analog Devices ADRF5130 reflektierende, einpolige Double-Throw-Schalter (SPDT) sind leistungsstarke Schalter die in einem Bereich von 0,7 GHz bis 3,5 GHz betrieben werden. Die ADRF5130 Schalter verfügen über eine hohe Strombelastbarkeit von 43 dBm (max.), eine niedrige Einfügungsdämpfung von 0,6 dB, einen Eingangsschnittpunkt der dritten Ordnung von 68 dBm (typisch) und eine 0,1-dB-Kompression (P0,1 dB) von 46 dBm. Die On-Chip-Schaltung arbeitet bei einer einzigen positiven Versorgungsspannung von 5 V und einem typischen Versorgungsstrom von 1,06 mA. Damit ist der ADRF5130 eine ideale Alternative zu Pin-Dioden-basierten Schaltern. Mit einer Spitzenstrombelastbarkeit von 44 W eignen sich die ADRF5130 Schalter bestens für Hochleistungs- und Mobilfunkinfrastruktur-Applikationen wie z. B. Langzeit-Evolutions-Basisstationen (LTE).

Merkmale

  • Reflektierendes Design von 50 Ω
  • Niedrige Einfügungsdämpfung: 0,6 dB bei 2 GHz (typisch)
  • Hohe Isolierung: 50 dB bei 2 GHz (typisch)
  • Hohe Strombelastbarkeit
    • HF-Eingangsleistung, stetige Welle (CW) bei TCASE = 85 °C
      • 43 dBm maximaler Betrieb
      • 46,5 dBm absoluter maximaler Nennbetrieb
  • Hohe Linearität:
    • 0,1 dB Kompression (P01dB): 46 dBm (typisch)
    • Eingangs-Intercept-Punkt der dritten Ordnung (IP3): 68 dBm bei 2 GHz (typisch)
  • ESD-Werte:
    • Human-Body-Modell (HBM): 2 kV, Klasse 2
    • Geladenes Gerätemodell (CDM): 1,25 kV
  • Positive Einzelversorgung: VDD = 5 V
  • Positive Steuerung, TTL-kompatibel: VCTL = 0 V oder VDD
  • 24-Pin-LFCSP-Gehäuse von 4 mm × 4 mm (16 mm²)

Applikationen

  • Mobilfunk-/4G-Infrastruktur
  • Drahtlose Infrastruktur
  • Prüfausstattung
  • Militärapplikationen und Applikationen mit hoher Zuverlässigkeit
  • Pin-Diodenersatz

Funktionales Blockdiagramm

Blockdiagramm - Analog Devices Inc. ADRF5130 Reflektierende Silizium-SPDT-Schalter
Veröffentlichungsdatum: 2017-06-30 | Aktualisiert: 2022-04-18