Texas Instruments CSD25501F3 p-Kanal-FemtoFET™-MOSFET mit –20 V und 64 mΩ

Der Texas Instruments CSD25501F3 p-Kanal-FemtoFET™-MOSFET mit 20 V und 64 mΩ ist dafür ausgelegt und optimiert, den Footprint in vielen tragbaren und mobilen Applikationen zu reduzieren. Diese Technologie kann Standard-MOSFETS für kleine Signale ersetzen, während sie eine Reduzierung von wenigstens 60 % der Größe des Footprints bietet. Der integrierte 10kΩ-Klemmenwiderstand ermöglicht abhängig vom Taktzyklus den Betrieb der Gate-Spannung (VGS) über dem maximalen internen Gate-Oxid-Wert von 6 V. Der Gate-Ableitstrom (IGSS) wird durch die Diode erhöht, wenn der VGS über 6 V ansteigt.