CSD25501F3 p-Kanal-FemtoFET™-MOSFET mit –20 V und 64 mΩ

Der Texas Instruments CSD25501F3 p-Kanal-FemtoFET™-MOSFET mit 20 V und 64 mΩ ist dafür ausgelegt und optimiert, den Footprint in vielen tragbaren und mobilen Applikationen zu reduzieren. Diese Technologie kann Standard-MOSFETS für kleine Signale ersetzen, während sie eine Reduzierung von wenigstens 60 % der Größe des Footprints bietet. Der integrierte 10kΩ-Klemmenwiderstand ermöglicht abhängig vom Taktzyklus den Betrieb der Gate-Spannung (VGS) über dem maximalen internen Gate-Oxid-Wert von 6 V. Der Gate-Ableitstrom (IGSS) wird durch die Diode erhöht, wenn der VGS über 6 V ansteigt.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Texas Instruments MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25501F3T
Datenblatt
9.345Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.6 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 1.02 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs #NAME?
Datenblatt
1.170Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.6 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 1.02 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel