Diodes Incorporated MMBFx N-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET
Diodes Inc. MMBFx N-Kanal-Anreicherungsmodus MOSFET ist zur Minimierung des Durchlasswiderstands(RDS(ON)) und Erhaltung der erstklassigen Schaltleistung ausgelegt. MMBFx MOSFETs bieten eine niedrige Gatter-Schwellenspannung, niedrige Eingangskapazität und niedrigen Eingangs-/Ausgangs-Ableitstrom. Diese MOSFETs sind ideal für Hochleistungs-Anwendungen im Energiemanagement. Anwendungsbereiche umfassen Energiemanagementfunktionen und Analog -Schalter.
Merkmale
- Low on-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Lead-free and fully RoHS compliant
- Halogen and Antimony free green device
- AEC-Q101 qualified standards for high reliability
- PPAP Capable
Technische Daten
- Materials
- SOT23 case
- Molded plastic case material
- 94V-0 UL flammability classification rating
- Level 1 per J-STD-020 moisture sensitivity
- Matte tin finish annealed over alloy 42 lead frame (Lead-Free Plating) terminals
- 0.008g weight (approximate)
- Ratings
- 60V drain-source voltage
- 60V drain-gate voltage
- 417K/W thermal resistance
- Thermal
- -55°C to +150°C operating and storage temperature range
- Electrical
- 70V typical drain-source breakdown voltage
- 1.0µA drain current
- 40pF maximum input capacitance
- 30pF maximum output capacitance
- 5.0pF maximum reverse transfer capacitance
- 10ns maximum turn-on/turn-off time
Veröffentlichungsdatum: 2016-05-02
| Aktualisiert: 2022-03-11