MMBFx N-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Diodes Inc. MMBFx N-Kanal-Anreicherungsmodus MOSFET ist zur Minimierung des Durchlasswiderstands(RDS(ON)) und Erhaltung der erstklassigen Schaltleistung ausgelegt. MMBFx MOSFETs bieten eine niedrige Gatter-Schwellenspannung, niedrige Eingangskapazität und niedrigen Eingangs-/Ausgangs-Ableitstrom. Diese MOSFETs sind ideal für Hochleistungs-Anwendungen im Energiemanagement. Anwendungsbereiche umfassen Energiemanagementfunktionen und Analog -Schalter.
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung

Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
Datenblatt
8.265Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 10.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 70 V 500 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
Datenblatt
7.153Auf Lager
24.000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 500 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel