Littelfuse TrenchT2™ Standard-/HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs
Die Littelfuse TrenchT2™ Standard- und HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs sind Anreicherungstyp-MOSFETs mit einem oder zwei Kanälen, die eine hohe Strombelastbarkeit (bis zu 600 A) bieten. Diese Bauteile verfügen über einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand (3,5 mΩ bis 22 mΩ) und eine Gate-Ladung (25,5 nC bis 178 nC) in einem großen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C. Die TrenchT2 MOSFETs sind in verschiedenen kompakten Gehäusen erhältlich und eignen sich hervorragend für Niederspannungs-Hochstrom-Leistungsumwandlungssysteme.
Merkmale
- Kompakte Gehäuseoptionen
- Hohe Strombelastbarkeit (bis zu 600 A)
- Niedriger Drain-Source-On-Widerstand
- Niedrige Gate-Ladung
- Erweiterungsmodus
- Ein- oder Zweikanal
- Enthält die HiPerFET-Technologie von IXYS für eine schnelle Leistungsschaltung
- Avalanche-fähig
Applikationen
- Standardversionen
- Fahrzeugsteuerungen
- Synchrone Abwärtswandler (für Notebook-Systemleistung und Universal-Punkt/Last)
- DC/DC-Wandler
- Hochstrom-Schaltapplikationen
- Antriebsstrangmanagement
- Verteilte Leistungsarchitektur
- HiPerFET-Versionen
- Synchrongleichrichtung
- DC/DC-Wandler
- Akkuladegeräte
- Schaltmodus- und Resonanzmodus-Netzteile
- DC-Chopper
- AC-Motorantriebe
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
- Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltapplikationen
Technische Daten
- Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich: 40 V bis 200 V
- Dauersenkenstrombereich: 5 A bis 230 A
- Drain-Source-On-Widerstandsbereich: 3,5 mΩ bis 22 mΩ
- Gate-Source-Spannungsoptionen: ±20 V oder ±30 V
- Gate-Source-Schwellenspannungsbereich: 2 V bis 4,5 V
- Gate-Ladungsbereich: 25,5 nC bis 178 nC
- Verlustleistungsbereich: 150 W bis 735 W
- Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
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Veröffentlichungsdatum: 2023-03-31
| Aktualisiert: 2023-04-04