TrenchT2™ Standard-/HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs

Die Littelfuse TrenchT2™ Standard- und HiPerFET™-Leistungs-MOSFETs sind Anreicherungstyp-MOSFETs mit einem oder zwei Kanälen, die eine hohe Strombelastbarkeit (bis zu 600 A) bieten. Diese Bauteile verfügen über einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand (3,5 mΩ bis 22 mΩ) und eine Gate-Ladung (25,5 nC bis 178 nC) in einem großen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C. Die TrenchT2 MOSFETs sind in verschiedenen kompakten Gehäusen erhältlich und eignen sich hervorragend für Niederspannungs-Hochstrom-Leistungsumwandlungssysteme.

Ergebnisse: 9
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs DUAL PHASE LEGCONFIG 150V 53A MOSFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 2 Channel 150 V 53 A 20 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 180 W TrenchT2 Tube
IXYS MOSFETs IXFA76N15T2 TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFETs TO268 100V 320A N-CH TRENCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400
: 400

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) 1 Channel 200 V 180 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 154 nC 735 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFETs IXTA100N04T2 TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFETs IXTA110N055T2 TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 57 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFETs IXTA200N055T2 TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 55 V 200 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFETs IXTA220N04T2 TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFETs IXTA230N075T2 TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 33 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFETs IXTY90N055T2 TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 55 V 90 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 175 C 150 W TrenchT2 Reel