IXYS XPT™ GenX4™ Trench-IGBTs von 650 V bis 1.200 V
IXYS Trench 650 V bis 1.200 V XPT™ GenX4™IGBTs werden mit einer proprietären XPT-Dünnwafer-Technologie und einem hochmodernen Trench-IGBT-Prozess der 4. Generation (GenX4 ™) entwickelt. Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate zeichnen sich durch reduzierte thermischer Widerstand, geringe Energieverluste, schnelles Schalten, niedrige Nachlaufstrom und Hochstromdichten aus. Die Bauteile zeichnen sich durch eine außergewöhnliche Robustheit während des Schaltens und unter Kurzschlussbedingungen aus.
Diese Durchsteckmontage IGBTs bietet auch quadratische Reverse-Vorspannung-Safe Operating Areas (RBSOA) bis zu Durchschlagspannung von 1.200 V, was sie ideal für Snubber-freie Hard-Switching Applikationen macht. DerUltra-Low-V-Sat-IGBT bietet eine Schaltleistung von bis zu 5 kHz. Die IXYS XPT der 4. Generation Trench IGBTs verfügen über einen positiven Kollektor-zu-Emitter Temperaturkoeffizient der Spannung. Dadurch können Designer mehrere Bauteile parallel verwenden, um die Anforderungen von Hochstrom zu erfüllen und niedrige GATE-Ladungen zu erzielen, was dazu beiträgt, GATE-Antriebsanforderungen und Schaltverluste zu reduzieren.
Typische Applikationen gehören Akkuladegeräte, Lampenvorschaltgeräte, Motorantriebe, Wechselrichter, Blindleistungskompensation (PFC) Schaltungen, Schaltnetzteile (SMPS), Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS), und Schweißgeräte.
Merkmale
- Entwickelt mit der firmeneigenen XPT-Dünnwafer-Technologie und dem hochmodernen Trench-IGBT-Prozess der 4. Generation (GenX4™)
- Niedrige Einschaltspannungen - VCE(sat)
- Bis zu 5 kHz Umschalten
- Positiver Wärmekoeffizient von VCE(sat)
- Optimiert für Hochgeschwindigkeitsschaltungen (bis zu 60 kHz)
- Kurzschlussfestigkeit (10 µs)
- Quadratische RBSOA
- Ultraschnelle Antiparalleldioden (Sonic-FRD™)
- Hartschaltende Funktionen
- Hochleistung Dichten
- Temperaturstabilität der Durchlassspannung der Diode VF
- Niedrige GATE Anforderungen an das Laufwerk
- Internationale Standardgehäuse
Applikationen
- Ladegeräte
- Lampen-Vorschaltgeräte
- Motorantriebe
- Wechselrichter
- PFC-Schaltungen
- SMPS
- UPS
- Schweißgeräte
Technische Daten
- Gemeinsamer
- 1.200 V VCES
- 20 A IC110
- IXYA20N120A4HV
- ≤1.9V VCE(sat)
- 160 ns tfi(typ)
- IXYA20N120B4HV
- ≤2.1V VCE(sat)
- 90 ns tfi(typ)
- IXYA20N120C4HV
- ≤2.5V VCE(sat)
- 58 ns tfi(typ)
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Bieten einen extrem niedrigen Vsat, der für das Schalten von bis zu 5 kHz ausgelegt ist.
| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung |
|---|---|---|
| IXYH100N65C5 |  |
IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD |
| IXYA50N65C5 | |
IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263 |
| IXYP48N65A5 | |
IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220 |
| IXYA48N65A5 | |
IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263 |
| IXYA55N65B5 | |
IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263 |
| IXYH85N120A4 | |
IGBTs TO247 1200V 85A XPT |
| IXYK140N120A4 | |
IGBTs TO264 1200V 140A GENX4 |
| IXXX160N65B4 | |
IGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
| IXXH110N65C4 | |
IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
| IXXH80N65B4 | |
IGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT |