IXYx110N120A4 1.200-V-XPT™-GenX4™-Trench-IGBTs

IXYS IXYx110N120A4 1.200-V-XPT™-GenX4™-Trench-IGBTs sind IGBTs mit hoher Gain, die für extrem niedrige Leitungsverluste VCE(sat) und für Schaltfrequenzen von bis zu 5 kHz optimiert sind. Eine dünne Wafertechnologie und verbesserte Prozesse ermöglichen einen niedrigen Gate-Ladung Qg und damit einen niedrigen Gate-Strombedarf. Eine hohe Gain erhöht die Stromstoßfähigkeit und der positive Wärmekoeffizient von VCE(sat) vereinfacht die Parallelschaltung. Der niedrige thermischer Widerstand von Rth(j-c) erleichtert thermisch bedingte Designprobleme.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
IXYS IGBTs PLUS247 1200V 110A GENX4
Datenblatt
207Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs TO264 1200V 110A GENX4
Datenblatt
158Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs SOT227 1200V 110A GENX4
Datenblatt
320Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 275 A 830 W - 55 C + 175 C Trench Tube