Linear Integrated Systems Neueste Diskrete Halbleiter
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= Linear Integrated Systems
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Linear Integrated Systems Low Noise Dual N-Channel JFETs
09.21.2023
09.21.2023
Wideband, high gain, monolithic dual, N-channel JFETs that are pin-for-pin replacements.
Linear Integrated Systems J500 Current Regulating Diodes
09.07.2023
09.07.2023
Wide 0.192mA to 5.6mA current range and are for current-limiting and constant-current applications.
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IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200V, 55mΩ und 48,3A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200V, 18 mΩ und 112A SiC-MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200V, 13,5 mΩ und 147A SiC-MOSFET empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
09.01.2026
09.01.2026
Simplifies and accelerates adoption of SSTs in data centers & other high-voltage power applications.
IXYS SK002xSx Empfindliche SCRs
08.27.2026
08.27.2026
Empfindliche SCRs mit Unterstützung für Mikroprozessorantrieb und hohe Störsicherheit.
onsemi 80-V-N-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs
08.25.2026
08.25.2026
Bieten einen niedrigen RDS(on) , um Leitungsverluste zu minimieren, sowie niedrige QG und Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren.
onsemi NXH011F120M3F2 SiC-MOSFETs
08.25.2026
08.25.2026
EliteSiC-MOSFET-Vollbrückenmodule mit On-Widerstand von 11 mΩ und einer Nennspannung von 1.200 V.
STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phasen-Wechselrichter und IGBT SLLIMM
08.19.2026
08.19.2026
Dieses Bauteil eignet sich ideal für Motorantriebe, die in hartschaltenden Schaltungen mit bis zu 20 kHz betrieben werden.
Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
08.17.2026
08.17.2026
Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.
Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
08.17.2026
08.17.2026
Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.
Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
08.14.2026
08.14.2026
Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.
Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
08.14.2026
08.14.2026
Features a low forward voltage drop in a low-profile package.
Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
08.14.2026
08.14.2026
Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08.12.2026
08.12.2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
Nexperia 400V/650V DPAK Recovery-Gleichrichter
08.12.2026
08.12.2026
Hyperschnelle und ultraschnelle DPAK Recovery-Gleichrichter für die Hochspannungs-Leistungsumwandlung.
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor
08.11.2026
08.11.2026
Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor
08.10.2026
08.10.2026
Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.
STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.10.2026
08.10.2026
Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.
Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD-Schutzdioden
08.04.2026
08.04.2026
ESD-Schutzdioden für Netzwerke CAN, CAN FD, CAN SIC und CAN XL im Fahrzeugbereich.
onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)
07.30.2026
07.30.2026
Für den Ersatz eines einzelnen Bauteils und sein externes Widerstands-Bias-Netzwerk konzipiert.
onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET
07.30.2026
07.30.2026
Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.
ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs
07.21.2026
07.21.2026
Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.
IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter
07.20.2026
07.20.2026
Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.
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