SiC-MOSFETs – Mouser Deutschland

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CoolSiC™-MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Das diskrete CoolSiC-Portfolio in TO- und SMD-Gehäusen ist in den Spannungsklassen 650 V, 1.200 V und 1.700 V mit on-Widerstandswerten von 27 mΩ bis 1.000 mΩ verfügbar. Die CoolSiC-Trench-Technologie ermöglicht einen flexiblen Parametersatz, der für die Implementierung von applikationsspezifischen Funktionen in den jeweiligen Produktportfolios verwendet wird. Diese Funktionen umfassen Gate-Source-Spannungen, Avalanche-Spezifikation, Kurzschlussfestigkeit oder eine interne Body-Diode, die für eine harte Kommutierung ausgelegt ist.

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Angewendete Filter:

Montageart

Verpackung/Gehäuse

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

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Bild	Teile-Nr.	Herst.	Beschreibung	Datenblatt	Verfügbarkeit	Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.	Menge	Montageart	Verpackung/Gehäuse	Anzahl der Kanäle	Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung	Id - Drain-Gleichstrom	Rds On - Drain-Source-Widerstand	Vgs - Gate-Source-Spannung	Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung	Qg - Gate-Ladung	Minimale Betriebstemperatur	Maximale Betriebstemperatur	Pd - Verlustleistung	Kanalmodus	Handelsname
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 11,93 € 617Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R045M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	617Auf Lager	Cut-Tape 11,93 € 7,27 € 6,75 € Reel 6,38 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5,42 € 368Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMZ120R140M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Datenblatt	368Auf Lager	5,42 € 3,76 € 3,51 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,02 € 825Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R090M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	825Auf Lager	Cut-Tape 6,02 € 4,15 € 3,74 € 3,56 € Reel 3,50 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,73 € 2.459Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R220M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	2.459Auf Lager	Cut-Tape 5,73 € 3,04 € 2,73 € Reel 2,42 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,96 € 303Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R060M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	303Auf Lager	Cut-Tape 8,96 € 4,99 € 4,70 € Reel 4,45 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 6,58 € 6.510Auf Lager 9.000Auf Bestellung	Herst. Teilenr. IMBF170R450M1XTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Datenblatt	6.510Auf Lager 9.000Auf Bestellung Versanddaten bei Bestellung Herst.- Nr.: IMBF170R450M1XTMA1 Lagerbestand: 6.510 sofort lieferbar Auf Bestellung: 3.000 erwartet ab 08.07.2027 6.000 Noch festzulegen Lieferzeit ab Hersteller: 52 Wochen	Cut-Tape 6,58 € 4,40 € 3,54 € 3,15 € Reel 2,79 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 Max.: 1.000 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 14,07 € 944Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R030M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	944Auf Lager	Cut-Tape 14,07 € 8,43 € Reel 7,87 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 13,45 € 239Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW120R030M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datenblatt	239Auf Lager	13,45 € 9,08 € 8,65 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,95 € 884Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW120R090M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datenblatt	884Auf Lager	7,95 € 4,26 € 3,92 € 3,73 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,22 € 3.851Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW120R220M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datenblatt	3.851Auf Lager	6,22 € 3,24 € 2,98 € 2,97 € 2,69 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,57 € 1.701Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW65R027M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	1.701Auf Lager	12,57 € 7,56 € 7,46 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,25 € 339Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW65R048M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	339Auf Lager	9,25 € 5,03 € 4,65 € 4,62 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,86 € 855Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMZ120R060M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Datenblatt	855Auf Lager	9,86 € 7,14 € 5,94 € 5,29 € 4,95 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,95 € 298Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMZA65R048M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	298Auf Lager	8,95 € 5,15 € 4,77 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 5,85 € 2.436Auf Lager	Herst. Teilenr. IMBF170R650M1XTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Datenblatt	2.436Auf Lager	Cut-Tape 5,85 € 3,84 € 2,82 € 2,51 € Reel 2,22 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,46 € 3.842Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R140M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	3.842Auf Lager	Cut-Tape 6,46 € 3,47 € 3,17 € Reel 2,95 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,39 € 1.120Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMBG120R350M1HXTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Datenblatt	1.120Auf Lager	Cut-Tape 5,39 € 3,53 € 2,61 € 2,36 € Reel 2,36 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 Max.: 500 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,85 € 314Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW65R072M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	314Auf Lager	6,85 € 3,93 € 3,66 € 3,52 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,51 € 463Auf Lager NRND	Herst. Teilenr. IMW65R107M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	463Auf Lager	6,51 € 3,41 € 3,14 € 2,90 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,53 € 27Auf Lager 720Auf Bestellung NRND	Herst. Teilenr. IMW120R060M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datenblatt	27Auf Lager 720Auf Bestellung	9,53 € 6,73 € 5,62 € 5,00 € 4,67 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,12 € 44Auf Lager 960erwartet ab 10.12.2026 NRND	Herst. Teilenr. IMW120R350M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Datenblatt	44Auf Lager 960erwartet ab 10.12.2026	6,12 € 4,01 € 2,96 € 2,62 € 2,32 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,03 € 19Auf Lager 2.160Auf Bestellung NRND	Herst. Teilenr. IMZ120R220M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZ120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Datenblatt	19Auf Lager 2.160Auf Bestellung Versanddaten bei Bestellung Herst.- Nr.: IMZ120R220M1HXKSA1 Lagerbestand: 19 sofort lieferbar Auf Bestellung: 960 erwartet ab 25.03.2027 1.200 erwartet ab 01.04.2027 Lieferzeit ab Hersteller: 52 Wochen	7,03 € 4,70 € 3,78 € 3,35 € 2,98 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	13 A	220 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,15 € 179Auf Lager 240erwartet ab 28.01.2027 NRND	Herst. Teilenr. IMZ120R350M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZ120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package	Datenblatt	179Auf Lager 240erwartet ab 28.01.2027	6,15 € 4,11 € 3,31 € 2,93 € 2,60 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	350 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 13,68 € 17Auf Lager 3.600Auf Bestellung NRND	Herst. Teilenr. IMZA65R027M1HXKSA1 Mouser-Teilenr. 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Datenblatt	17Auf Lager 3.600Auf Bestellung	13,68 € 7,75 € 7,68 € 7,67 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 5,20 € 24.945Auf Bestellung	Herst. Teilenr. IMBF170R1K0M1XTMA1 Mouser-Teilenr. 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Mehr erfahren über Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Datenblatt	24.945Auf Bestellung Versanddaten bei Bestellung Herst.- Nr.: IMBF170R1K0M1XTMA1 Lagerbestand: 0 Auf Bestellung: 1.945 erwartet ab 07.01.2027 23.000 Noch festzulegen Lieferzeit ab Hersteller: 53 Wochen	Cut-Tape 5,20 € 3,41 € 2,55 € 2,13 € Reel 1,85 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC