HF-Transistoren

Arten von HF-Transistoren

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CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 26 dBm + 150 C 10 dB Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 22 dBm + 150 C 12 dB Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 21 dBm + 150 C 15 dB Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 21 dBm + 150 C 15 dB Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 18 GHz 26.5 dBm + 150 C 11 dB Bulk
Infineon Technologies HF-Bipolartransistoren RF BIP TRANSISTOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

RF Bipolar Transistors Bipolar Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies HF-Bipolartransistoren RF BIP TRANSISTOR Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

RF Bipolar Transistors Bipolar Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies HF-Bipolartransistoren NPN Silicon RF TRANSISTOR Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-143-4 Bipolar Si 8 GHz - 65 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies HF-Bipolartransistoren NPN Silicon RF TRANSISTOR Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

RF Bipolar Transistors SOT-143-4 Si AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies HF-Bipolartransistoren RF BIP TRANSISTOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT343-4 Bipolar Si 25 GHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies HF-Bipolartransistoren RF BIP TRANSISTOR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

RF Bipolar Transistors SOT-343-4 Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies HF-Bipolartransistoren RF BIP TRANSISTORS Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-343 Bipolar SiGe 45 GHz AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies HF-Bipolartransistoren RF BIP TRANSISTOR Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

RF Bipolar Transistors TSFP-4 Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies HF-Bipolartransistoren RF BIP TRANSISTORS Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT343-3 Bipolar SiGe 45 GHz + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 330 W - 40 C + 150 C 20.4 dB Tube
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 330 W - 40 C + 150 C 20.4 dB Tube
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PQFN-24 Si 728 MHz to 960 MHz 2 W - 40 C + 150 C 19.1 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT TO-270-2 Si 764 MHz to 941 MHz 32 W - 40 C + 150 C 15.7 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

RF MOSFET Transistors Screw Mount NI-780 Si 960 MHz to 1.215 GHz 275 W + 150 C 20.3 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

RF MOSFET Transistors Screw Mount NI-780H-2 Si 1.215 MHz to 960 MHz 500 W + 150 C 19.7 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT NI-1230 Si 1.8 MHz to 600 MHz 600 W + 150 C 25 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 150

RF MOSFET Transistors SMD/SMT NI-1230 Si 1.8 MHz to 600 MHz 600 W + 150 C 25 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology ARF1511
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology ARF463BG
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 30
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si Tube
Microchip Technology ARF463BP1G
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 100 MHz 100 W - 55 C + 150 C 15 dB Tube