Arten von Transistoren
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onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs
onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs
09.17.2026
80-V-MOSFETs für Fahrzeuge mit niedrigem On-Widerstand und Soft-Recovery-Body-Diode.
Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie
Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie
09.16.2026
Dieses Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen in den Bereichen Kfz-Technik, Stromverteilung und industrielle Leistungssteuerung.
Texas Instruments JFE2325 Stromsparender Dual-N-Kanal-JFET
Texas Instruments JFE2325 Stromsparender Dual-N-Kanal-JFET
09.09.2026
Für den Einsatz mit Sensoren mit sehr hoher Impedanz wie beispielsweise Elektret-Kondensatormikrofonen (ECMs) konzipiert.
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
1200V, 18 mΩ und 112A SiC-MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
1200V, 55mΩ und 48,3A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
1200V, 13,5 mΩ und 147A SiC-MOSFET empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Leistungsmodule
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Leistungsmodule
09.01.2026
Vereinfacht und beschleunigt den Einsatz von SSTs in Rechenzentren und anderen Hochspannungsanwendungen.
onsemi 80-V-N-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs
onsemi 80-V-N-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs
08.25.2026
Bieten einen niedrigen RDS(on) , um Leitungsverluste zu minimieren, sowie niedrige QG und Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren.
onsemi NXH011F120M3F2 SiC-MOSFETs
onsemi NXH011F120M3F2 SiC-MOSFETs
08.25.2026
EliteSiC-MOSFET-Vollbrückenmodule mit On-Widerstand von 11 mΩ und einer Nennspannung von 1.200 V.
STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phasen-Wechselrichter und IGBT SLLIMM
STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phasen-Wechselrichter und IGBT SLLIMM
08.19.2026
Dieses Bauteil eignet sich ideal für Motorantriebe, die in hartschaltenden Schaltungen mit bis zu 20 kHz betrieben werden.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08.12.2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor
08.11.2026
Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.
STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET
STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.10.2026
Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor
08.10.2026
Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.
onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET
onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET
07.30.2026
Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.
onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)
onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)
07.30.2026
Für den Ersatz eines einzelnen Bauteils und sein externes Widerstands-Bias-Netzwerk konzipiert.
ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs
ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs
07.21.2026
Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.
onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs
onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs
07.08.2026
Wide-Bandgap-Materialeigenschaften für niedrige Gate- und Ausgangsladung, schnelles Schalten und einen verbesserten Wirkungsgrad.
Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs
Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs
06.19.2026
Zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06.18.2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies EasyPACK™ S-Module
Infineon Technologies EasyPACK™ S-Module
06.12.2026
Effiziente Leistungsumwandlung in einem kompakten, einfach zu integrierenden Gehäuse, das für moderne Leistungsdesigns ausgelegt ist.
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge
05.27.2026
Fortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.
Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs
Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs
05.18.2026
Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.
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