CoolSiC™-1200-V-SiC-Trench-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ -1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs kombinieren die starken physikalischen Eigenschaften von Siliziumkarbid mit einzigartigen Funktionen, welche die Leistung, Robustheit und Benutzerfreundlichkeit des Bauteils erhöhen. Die CoolSiC-1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das für die niedrigsten Applikationsverluste und die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Diese Bauteile eignen sich für den Betrieb bei hohen Temperaturen und rauen Umgebungen und ermöglichen eine vereinfachte und kostengünstige Bereitstellung des höchsten Systemwirkungsgrads.

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Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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1.212Auf Lager
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
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: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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948Auf Lager
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
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616Auf Lager
240Auf Bestellung
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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721Auf Lager
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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4.390Auf Lager
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
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603Auf Lager
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MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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333Auf Lager
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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594Auf Lager
2.160Auf Bestellung
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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571Auf Lager
720Auf Bestellung
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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260Auf Lager
480erwartet ab 29.10.2026
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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480erwartet ab 08.10.2026
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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20Auf Lager
2.640Auf Bestellung
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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492Auf Lager
720Auf Bestellung
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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142Auf Lager
240erwartet ab 29.10.2026
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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472Auf Lager
240erwartet ab 19.11.2026
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
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197Auf Lager
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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2.160Auf Bestellung
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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1.169Auf Bestellung
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Max.: 240

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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2.877Auf Bestellung
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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1.440Auf Bestellung
Min.: 1
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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960erwartet ab 16.09.2026
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel