Neueste Transistoren – Mouser Deutschland

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Arten von Transistoren

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Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs

03.31.2026

- Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter DC/DC-Wandler und Motortreiber.

Toshiba TPH2R70AR5 N-Kanal-MOSFET

10.17.2025

- Ideal für hocheffiziente DC/DC-Wandler und erhältlich im SOP Advance (N)-Gehäuse.

Toshiba L-TOGL und S-TOGL AEC-Q 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs

10.14.2024

- Untergebracht im L-TOGL™ Gehäuse, um der wachsenden Nachfrage nach 48 V Batterien in Fahrzeugen gerecht zu werden.

Toshiba TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs

09.13.2024

- Erhältlich in U-MOSX-H- und DTMOSVI-Ausführungen und bieten außergewöhnliche Leistungsmerkmale.

Toshiba TPH1400CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs

09.10.2024

- Verfügt über einen 8-Pin-SMT-Leistungs-MOSFET, der mit einem U-MOSX-H-Generation-Trench-Verfahren ausgelegt ist.

Toshiba TPH1100CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs

08.12.2024

- Verfügt über einen 8-Pin-SMT-Leistungs-MOSFET, der mit einem U-MOSX-H-Generations-Trench-Verfahren ausgelegt ist.

Toshiba UMOS9-H n-Kanal-Silizium-MOSFETs

05.13.2024

- Ideal für DC/DC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad, Schaltspannungsregler und Motortreiber.

Toshiba SSM14N956L MOSFET

06.09.2023

- Verfügt über einen niedrigen Source-to-Source-On-Widerstand und ist RoHS-kompatibel.

Toshiba XPQR3004PB 40 V 400 A Automotive-MOSFET

02.13.2023

- Bietet RDS(ON) von 0,23 mΩ (typisch) und Schwellenspannung (Vth) von 2 V bis 3 V, mit einer Fähigkeit von 400 A.

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ROHM Semiconductor RS4P063BPHZG Wide-SOA N-Channel Power MOSFET

10.23.2026

- Features an expanded Safe Operating Area that helps suppress secondary breakdown.

ROHM Semiconductor RGA50TxX2EHR Automotive Field Stop Trench IGBTs

10.22.2026

- These devices feature low switching and conduction losses.

ROHM Semiconductor RGA50TxX2HR Automotive Field Stop Trench IGBTs

10.22.2026

- These devices feature low switching and conduction losses.

Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor

10.19.2026

- Features low on-resistance, a very low gate threshold voltage, and fast switching performance.

Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung

10.14.2026

- 50Ω Eingangsangepasste diskrete GaN-auf-SiC HEMT, die von 30MHz-1215MHz an einer 28V Versorgungsspannung betrieben werden.

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren

10.06.2026

- 220 W diskrete GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4 GHz arbeiten.

Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor

10.06.2026

- Ein diskreter 200 W bis 300 W GaN-on-SiC-HEMT, der von 2,5 GHz bis 2,9 GHz und von 2,9 GHz bis 3,3 GHz arbeitet.

Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET-Modul

10.02.2026

- 1400-V-CoolSiC-MOSFET-Modul für Antriebswechselrichter in elektrischen Nutzfahrzeugen.

onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.17.2026

- 80-V-MOSFETs für Fahrzeuge mit niedrigem On-Widerstand und Soft-Recovery-Body-Diode.

Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie

09.16.2026

- Dieses Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen in den Bereichen Kfz-Technik, Stromverteilung und industrielle Leistungssteuerung.

Texas Instruments JFE2325 Stromsparender Dual-N-Kanal-JFET

09.09.2026

- Für den Einsatz mit Sensoren mit sehr hoher Impedanz wie beispielsweise Elektret-Kondensatormikrofonen (ECMs) konzipiert.

IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 55mΩ und 48,3A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 13,5 mΩ und 147A SiC-MOSFET empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 18 mΩ und 112A SiC-MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

Microchip Technology HV-D3 mSiC® Leistungsmodule

09.01.2026

- Vereinfacht und beschleunigt den Einsatz von SSTs in Rechenzentren und anderen Hochspannungsanwendungen.

onsemi NXH011F120M3F2 SiC-MOSFETs

08.25.2026

- EliteSiC-MOSFET-Vollbrückenmodule mit On-Widerstand von 11 mΩ und einer Nennspannung von 1.200 V.

onsemi 80-V-N-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs

08.25.2026

- Bieten einen niedrigen RDS(on) , um Leitungsverluste zu minimieren, sowie niedrige QG und Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren.

STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phasen-Wechselrichter und IGBT SLLIMM

08.19.2026

- Dieses Bauteil eignet sich ideal für Motorantriebe, die in hartschaltenden Schaltungen mit bis zu 20 kHz betrieben werden.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08.12.2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor

08.11.2026

- Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.

STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.10.2026

- Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor

08.10.2026

- Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.

onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)

07.30.2026

- Für den Ersatz eines einzelnen Bauteils und sein externes Widerstands-Bias-Netzwerk konzipiert.

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