Neueste Transistoren – Mouser Deutschland

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Arten von Transistoren

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IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 13,5 mΩ und 147A SiC-MOSFET empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 55mΩ und 48,3A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 18 mΩ und 112A SiC-MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02.02.2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse

10.08.2025

- Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.

IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs

09.19.2025

- Diese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].

IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V

08.27.2025

- Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.

IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET

03.17.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET

03.06.2025

- Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.

IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET

03.06.2025

- Einzelschalter-MOSFET mit einem 1200 V, 30 mΩ 79 A industrietauglichen Gerät in einem TO263-7L-Gehäuse.

IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET

02.27.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET

02.27.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET

02.18.2025

- Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.

IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET

02.18.2025

- Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.

IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs

11.28.2024

- Bieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.

IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.

07.25.2024

- Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung.

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Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung

10.14.2026

- 50Ω Eingangsangepasste diskrete GaN-auf-SiC HEMT, die von 30MHz-1215MHz an einer 28V Versorgungsspannung betrieben werden.

Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor

10.06.2026

- Ein diskreter 200 W bis 300 W GaN-on-SiC-HEMT, der von 2,5 GHz bis 2,9 GHz und von 2,9 GHz bis 3,3 GHz arbeitet.

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren

10.06.2026

- 220 W diskrete GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4 GHz arbeiten.

Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET-Modul

10.02.2026

- 1400-V-CoolSiC-MOSFET-Modul für Antriebswechselrichter in elektrischen Nutzfahrzeugen.

onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.17.2026

- 80-V-MOSFETs für Fahrzeuge mit niedrigem On-Widerstand und Soft-Recovery-Body-Diode.

Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie

09.16.2026

- Dieses Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen in den Bereichen Kfz-Technik, Stromverteilung und industrielle Leistungssteuerung.

Texas Instruments JFE2325 Stromsparender Dual-N-Kanal-JFET

09.09.2026

- Für den Einsatz mit Sensoren mit sehr hoher Impedanz wie beispielsweise Elektret-Kondensatormikrofonen (ECMs) konzipiert.

IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 18 mΩ und 112A SiC-MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 13,5 mΩ und 147A SiC-MOSFET empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 55mΩ und 48,3A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

Microchip Technology HV-D3 mSiC® Leistungsmodule

09.01.2026

- Vereinfacht und beschleunigt den Einsatz von SSTs in Rechenzentren und anderen Hochspannungsanwendungen.

onsemi NXH011F120M3F2 SiC-MOSFETs

08.25.2026

- EliteSiC-MOSFET-Vollbrückenmodule mit On-Widerstand von 11 mΩ und einer Nennspannung von 1.200 V.

onsemi 80-V-N-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs

08.25.2026

- Bieten einen niedrigen RDS(on) , um Leitungsverluste zu minimieren, sowie niedrige QG und Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren.

STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phasen-Wechselrichter und IGBT SLLIMM

08.19.2026

- Dieses Bauteil eignet sich ideal für Motorantriebe, die in hartschaltenden Schaltungen mit bis zu 20 kHz betrieben werden.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08.12.2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor

08.11.2026

- Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.

STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.10.2026

- Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor

08.10.2026

- Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.

onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET

07.30.2026

- Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.

onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)

07.30.2026

- Für den Ersatz eines einzelnen Bauteils und sein externes Widerstands-Bias-Netzwerk konzipiert.

ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

07.21.2026

- Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs

07.08.2026

- Wide-Bandgap-Materialeigenschaften für niedrige Gate- und Ausgangsladung, schnelles Schalten und einen verbesserten Wirkungsgrad.

Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs

06.19.2026

- Zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.

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