Embedded Lösungen

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Intel Ethernet-Module Intel Ethernet Converged Network Adapter X710-DA4, retail bulk 5Auf Lager
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ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 1.625Auf Lager
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: 1.500

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V 175Auf Lager
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ISSI DRAM 1G 64Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V A-Temp 1.120Auf Lager
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: 1.500

ISSI DRAM 1G 64Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V I-Temp 376Auf Lager
1.500erwartet ab 11.09.2026
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: 1.500

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V 805Auf Lager
760erwartet ab 05.08.2027
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ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS, 48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 330Auf Lager
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ISSI DRAM 2G 256Mx8 1333MT/s DDR3 1.5V
242erwartet ab 02.09.2026
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Monolithic Power Systems (MPS) IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Evaluation board for MP6543H-B 4Auf Lager
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Lumissil Entwicklungstools für LED-Leuchten Eval Board for IS31LT3360 5Auf Lager
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Lumissil Entwicklungstools für LED-Leuchten Eval Board for IS31BL3228B 3Auf Lager
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Lumissil Entwicklungstools für LED-Leuchten Eval Board for IS31LT3360 2Auf Lager
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ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 190
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ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1333MT/s at 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.000
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: 2.000

APC by Schneider Electric Temperatursensormodule APC Temperature & Humidity Sensor
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS, 48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.500
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: 2.500

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1333MT/s at 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1333MT/s at 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
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: 2.000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
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ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
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: 1.000

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v-3.6v,2 CS, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 480
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ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
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ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
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