STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis

STMicroelectronics STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis sind extrem leistungsstarke Schottky-Dioden. Das Breitbandlückenmaterial ermöglicht die Erstellung einer Schottky-Diodenstruktur mit einer Nennleistung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Bauweise tritt beim Ausschalten keine Verzögerung auf und Überschwingmuster sind geringfügig. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig. Diese Bauteile eignen sich besonders gut für den Einsatz in PFC-Applikationen und erhöhen die Leistung bei harten Schaltbedingungen. Das hohe Ableitvermögen sorgt für eine gute Robustheit bei transienten Phasen.