650V HB-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

STMicroelectronics 650V Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der HB-Serie sind IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Diese Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Mit der erweiterten Trench-Gate-Field-Stop-Hochgeschwindigkeitstechnologie von ST verfügen diese IGBTs über ein minimales Kollektorstrom-Abschaltungsende, sowie über eine sehr geringe Sättigungsspannung (Vce(sat)) hinunter bis zu 1,6V (Typ.), dies minimiert Energieverluste während des Schaltens und beim Einschalten. Außerdem führen ein leicht positiver VCE-Temperaturkoeffizient (sat) und eine äußerst geringe Parameterverteilung zu sichererem Parallelbetrieb.
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STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac 2.309Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package 783Auf Lager
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IGBT Transistors Si SMD/SMT
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT 784Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd 320Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac 564Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT 220Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT 1.173Auf Lager
1.800erwartet ab 26.08.2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A 3.287Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT 742Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed 238Auf Lager
1.000erwartet ab 18.09.2026
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT 246Auf Lager
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IGBT Transistors Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT 594Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT 1.050Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long 793Auf Lager
600erwartet ab 23.10.2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long 493Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed 521Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT 464Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa 42Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
1.200erwartet ab 30.04.2027
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT 280Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
600erwartet ab 28.08.2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
1.200erwartet ab 02.10.2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT Vorlaufzeit 22 Wochen
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3