Silicon-on-Insulator (SOI) -Gate-Treiber-ICs

Infineon Silicon-on-Insulator  (SOI) Gate-Treiber-ICs sind Pegelverschiebungs-Hochspannungs-Gate-Treiber-ICs für IGBTs und MOSFETs. Die SOI-Technologie ist eine Hochspannungs-Pegelverschiebungstechnologie, die einzigartige, messbare und erstklassige Vorteile bietet. Dazu gehören eine integrierte Bootstrap-Diode (BSD) und eine branchenführende Robustheit zum Schutz gegen negative Transientenspannungsspitzen. Jeder Transistor wird durch ein integriertes Siliziumdioxid isoliert, wodurch die parasitären bipolaren Transistoren, die ein Latch-up verursachen, eliminiert werden. Diese Technologie kann auch die Leistungsverluste durch die Pegelverschiebung verringern, um die Verlustleistung des Bauteils zu reduzieren. Der fortschrittliche Prozess ermöglicht eine monolithische Hochspannungs- und Niederspannungs-Schaltungsbauweise mit technologieverbesserten Vorteilen.