IXTH30N60 Serie MOSFETs

Ergebnisse: 2
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

IXYS MOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
Datenblatt
307Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 82 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement PolarHV Tube

IXYS MOSFETs 30 Amps 600V
Datenblatt
11Auf Lager
4.770Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 335 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube