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IXTH30N60L2

Name: IXYS IXTH30N60L2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH30N60L2
Price: 18.67 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTH30N60L2

Herst.- Nr.:

IXTH30N60L2

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 30 Amps 600V

Datenblatt:

IXTH30N60L2 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	240 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	335 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	540 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	Linear L2
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	KR
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	43 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	10 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	65 ns
Serie:	IXTH30N60
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	123 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	43 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

IXTH30N60L2 Datenblatt

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TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.