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TK100A10N1,S4X

Name: Toshiba TK100A10N1,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK100A10N1S4X
Price: 4.82 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK100A10N1S4X

Herst.- Nr.:

TK100A10N1,S4X

Herst.:

Toshiba

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	140 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	45 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	U-MOSVIII-H
Verpackung:	Tube
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	TK100A10N1
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	2 g