IXYS MOSFETs

Ergebnisse: 1.579
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Handelsname Verpackung
IXYS MOSFETs DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-247AD 273Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 1.4 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 88 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET 726Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 230A 200V 931Auf Lager
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 230 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 358 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube


IXYS MOSFETs ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT 366Auf Lager
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Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.7 kV 2 A 20 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement ISOPLUS i5-PAC Tube

IXYS MOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET 4.424Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A 3.894Auf Lager
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Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs TenchP Power MOSFET 2.805Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 200 V 32 A 130 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs Standard Linear Power MOSFETs 2.981Auf Lager
Min.: 1
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Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 80 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 180 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Linear Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFT NChTrenchGate-Gen2 I4-PAK ISO+ 2.304Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 5.8 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA 3.082Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctX3Class TO-220AB/FP 3.528Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA 21.864Auf Lager
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds 8.999Auf Lager
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET 939Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds 1.496Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 1.148Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Rds 3.266Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode 1.542Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA 305Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 2.5 kV 1.5 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds 543Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 50 V 140 A 9 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 200 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement TrenchP Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 24A N-CH X2CLASS 586Auf Lager
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 360Amps 55V 390Auf Lager
300erwartet ab 06.08.2026
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Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET 201Auf Lager
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 240 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 460 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds 267Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET 158Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 75 V 400 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 420 nC - 55 C + 175 C 1 mW Enhancement HiPerFET Tube