MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
Datenblatt
96Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK F Tray
SemiQ MOSFET-Module SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module
Datenblatt
34Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 383 A 4.4 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 1.154 kW GCMX Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET-Module CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Datenblatt
27Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount 1.2 kV 190 A 4.44 mOhms - 7 V, + 20 V, - 10 V, + 23 V 5.1 V - 40 C + 175 C CoolSiC Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
Datenblatt
5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount N-Channel Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET
Datenblatt
9Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si 62 mm C-Series Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material
Datenblatt
21Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si 62 mm C-Series Tray
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 567 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 1.78 kW Bulk
onsemi MOSFET-Module 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Datenblatt
25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 350 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 979 W NXH003P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET-Module 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Datenblatt
54Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 435 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 1.482 kW NXH003P120M3F2PTNG Tray
onsemi MOSFET-Module 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Datenblatt
26Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 284 A 7.5 mohms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 785 W NXH004P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET-Module 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Datenblatt
10Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC NXH004P120M3F2PTNG Tray
onsemi MOSFET-Module 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE
Datenblatt
28Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-29 1.2 kV 129 A 8.5 mOhms - 10 V, + 22 V 1.8 V - 40 C + 150 C 371 W NXH008T120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET-Module 11M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE
Datenblatt
30Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-29 1.2 kV 91 A 11.9 mOhms - 10 V, + 22 V 1.8 V - 40 C + 150 C 272 W NXH011T120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET-Module APM32 SIC POWER MODULE
Datenblatt
48Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 31 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 208 W NVXK2PR80WXT2 Tube
onsemi MOSFET-Module APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE
Datenblatt
44Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 27 A 59 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 319 W NVXK2TR40WXT Tube
onsemi MOSFET-Module APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE
Datenblatt
48Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 20 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 82 W NVXK2TR80WDT Tube
onsemi MOSFET-Module APM32 SIC POWER MODULE
Datenblatt
41Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT APM-32 1.2 kV 31 A 59 mOhms - 15 V, + 25 V 3 V - 55 C + 175 C 102 W NVXK2VR40WDT2 Tube
onsemi MOSFET-Module APM32 SIC POWER MODULE
Datenblatt
60Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 20 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 82 W NVXK2VR80WDT2 Tube
onsemi MOSFET-Module APM32 SIC POWER MODULE
Datenblatt
44Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 31 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 208 W NVXK2VR80WXT2 Tube
onsemi MOSFET-Module SIC 900V 8D MOSFET V-SSDC SPB
Datenblatt
3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 620 A 2.1 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1 kW NVXR17S90M2SPB Tray
onsemi MOSFET-Module SIC 900V 8D MOSFET V-SSDC SPC
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 620 A 2.1 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1 kW NVXR17S90M2SPC Tray
onsemi MOSFET-Module SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPB
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W NVXR22S90M2SPB Tray
onsemi MOSFET-Module SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPC
Datenblatt
3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W NVXR22S90M2SPC Tray
onsemi MOSFET-Module SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPM 4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W Tray

onsemi MOSFET-Module PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
Datenblatt
28Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 51 A 30 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 211 W NXH020P120MNF1 Tray