MOSFET-Module

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
Datenblatt
96erwartet ab 17.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK F Tray
TDK-Lambda MOSFET-Module ORing Module, PCB Mount, 3.3-30V, 80A, 1x1, 0.145" pin length
Datenblatt
45erwartet ab 22.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Press Fit - 40 C + 120 C i1R
TDK-Lambda MOSFET-Module ORing Module, PCB Mount, 3.3-30V, 80A, 1x1, 0.220" pin length
Datenblatt
45Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Press Fit - 40 C + 120 C i1R
TDK-Lambda MOSFET-Module ORing Module, PCB Mount, 5-60V, 60A, 1x1, 0.145" pin length
Datenblatt
45erwartet ab 01.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Press Fit - 40 C + 120 C i1R
Microchip Technology APT5010JLLU2
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-7-SOT227
Datenblatt
5erwartet ab 24.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C Tube

onsemi MOSFET-Module PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED + TIM)
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1.148Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET-Module PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Datenblatt
28Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 114 A 14 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 413 W NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET-Module PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM
Datenblatt
28Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 28
Mult.: 28
SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET-Module PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
Datenblatt
28Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 28
Mult.: 28
SiC NXH040F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET-Module PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
Datenblatt
56Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 30 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 113 W NXH040P120MNF1 Tray
onsemi MOSFET-Module PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Datenblatt
140Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 28
Mult.: 28

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET-Module PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
Datenblatt
84Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH040P120MNF1 Tray
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6C
Datenblatt
3Auf Lager
7erwartet ab 10.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 700 V 464 A 4.8 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V - 40 C + 175 C 1.277 kW
IXYS MOSFET-Module Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 70 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 960 W IXFN80N60 Tube
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 30
Mult.: 30

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 536 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 23 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 303 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 118 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET-Module SiC 1200V 3mohm MOSFET S7 Half-Bridge Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

GCMX Bulk
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 188 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 536 W GCMX Tube
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 23 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 303 W GCMX Tube
SemiQ MOSFET-Module 1200V 20ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit B2 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 30 A 25 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 263 W GCMX Tray
SemiQ MOSFET-Module SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 3 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 113 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 55 C + 175 C 395 W GCMX Tube
SemiQ MOSFET-Module 1200V 40ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit B2 6 Channel 1.2 kV 30 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 160 W GCMX Tray
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMX Tube