BC337 Bipolartransistoren - BJT

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
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Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
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onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 45V 800mA HFE/250
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Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 800 mA 45 V 50 V 5 V 700 mV 625 mW 100 MHz + 150 C BC337 Ammo Pack
Central Semiconductor BC337-25 PBFREE
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT NPN 50Vcbo 45 Vceo 800mA 625mW Trans
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1.396Auf Lager
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Through Hole TO-92 NPN Single 800 mA 45 V 50 V 5 V 700 mV 625 mW 210 MHz - 65 C + 150 C Bulk
Central Semiconductor BC337 APM PBFREE
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT 45V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch 1.046Auf Lager
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NPN Ammo Pack
Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT BJT, TO-92BK, 45V, 800mA, NPN
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Through Hole TO-92BK NPN Single 800 mA 45 V 5 V 700 mV 625 mW 100 MHz - 55 C + 150 C BC337 Bulk
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT NPN SS Aud Amp
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Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 800 mA 45 V 50 V 5 V 700 mV 625 mW 210 MHz - 65 C + 150 C BC337 Bulk
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 45V 800mA HFE/400
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Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 800 mA 45 V 50 V 5 V 700 mV 625 mW 100 MHz + 150 C BC337 Bulk
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 45V 800mA HFE/630
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Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 800 mA 45 V 50 V 5 V 700 mV 625 mW 100 MHz + 150 C BC337 Ammo Pack
Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT BJT, TO-92BK, 45V, 800mA, NPN
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Through Hole TO-92BK NPN Single 800 mA 45 V 5 V 700 mV 625 mW 100 MHz - 55 C + 150 C BC337 Bulk
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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MouseReel verfügbar
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Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 800 mA 45 V 50 V 5 V 700 mV 625 mW 100 MHz + 150 C BC337 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 800 mA 45 V 50 V 5 V 700 mV 625 mW 100 MHz + 150 C BC337 Ammo Pack
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 45V 800mA HFE/400
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12.000erwartet ab 11.08.2026
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Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 800 mA 45 V 50 V 5 V 700 mV 625 mW 100 MHz + 150 C BC337 Ammo Pack
Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT BJT, TO-92, 45V, 800mA, NPN
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Through Hole TO-92 NPN Single 800 mA 45 V 5 V 700 mV 625 mW 100 MHz - 55 C + 150 C BC337 Ammo Pack
onsemi Bipolartransistoren - BJT 800mA 50V NPN
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Nein
Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 800 mA 45 V 50 V 5 V 700 mV 625 mW 210 MHz - 55 C + 150 C BC337 Bulk
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Produkt-Kommentare

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Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT BJT, TO-92, 45V, 800mA, NPN
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8.562Auf Lager
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: 4.000

Through Hole TO-92 NPN Single 800 mA 45 V 5 V 700 mV 625 mW 100 MHz - 55 C + 150 C BC337 Ammo Pack
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 45V 800mA HFE/630
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29.385Auf Lager
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Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 800 mA 45 V 50 V 5 V 700 mV 625 mW 100 MHz + 150 C BC337 Bulk
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 45V 800mA HFE/250
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14.976Auf Lager
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Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 800 mA 45 V 50 V 5 V 700 mV 625 mW 100 MHz + 150 C BC337 Bulk
Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT BJT, TO-92, 45V, 800mA, NPN
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28.574Auf Lager
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: 4.000

Through Hole TO-92 NPN Single 800 mA 45 V 5 V 700 mV 625 mW 100 MHz - 55 C + 150 C BC337 Ammo Pack
Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT BJT, TO-92BK, 45V, 800mA, NPN
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21.727Auf Lager
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Through Hole TO-92BK NPN Single 800 mA 45 V 5 V 700 mV 625 mW 100 MHz - 55 C + 150 C BC337 Bulk
Central Semiconductor BC337 TRE PBFREE
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT 45V,800mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 2 Wochen
Min.: 6.000
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NPN Reel
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT NPN 50Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 800mA 625mW
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: 2.000

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 45 V 50 V 5 V 700 mV 625 mW 210 MHz - 65 C + 150 C BC337 Ammo Pack
Central Semiconductor BC337-40 PBFREE
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT NPN 50Vcbo 45 Vceo 800mA 625mW Trans
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Bulk
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT NPN 50Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 800mA 625mW
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Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 45 V 50 V 5 V 700 mV 625 mW 210 MHz - 65 C + 150 C BC337 Bulk
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT NPN 50Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 800mA 625mW
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
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Mult.: 2.500

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 45 V 50 V 5 V 700 mV 625 mW 210 MHz - 65 C + 150 C BC337 Bulk
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT NPN 50Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 800mA 625mW
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Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 45 V 50 V 5 V 700 mV 625 mW 210 MHz - 65 C + 150 C BC337 Bulk