Neueste Transistoren – Mouser Deutschland

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Arten von Transistoren

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STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12.04.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor

11.07.2025

- Basiert auf GaN-Technologie und ist für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs-Applikationen konzipiert.

STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

10.28.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR, der für eine effiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist.

STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA Fahrzeug Leistungsmodul

09.26.2025

- Bietet eine Sixpack Topologie mit NTC für die DC/DC-Wandler Stufe des OBC in Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA Fahrzeug-Leistungsmodul

09.26.2025

- Bietet eine 3-Phasen 4-wire PFC -Topologie mit integriertem NTC für den OBC in Hybrid- & Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2

05.22.2025

- Durch Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt.

STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT mit Diode

12.24.2024

- Kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrücken-Topologie.

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

09.12.2024

- Mit einem fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.

STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

09.12.2024

- Mit einem fortschrittlichen Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.

STMicroelectronics MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

07.22.2024

- 800 V, durch Zener-Diode geschützt, zu 100 % Avalanche-getestet und ideal für Sperrwandler und LED-Beleuchtung.

STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe

07.03.2024

- 1200 V, 40 A, verlustarm, niedriger thermischer Widerstand und in einem TO-247-Gehäuse mit langer Anschlussleitung erhältlich.

STMicroelectronics STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

12.01.2023

- Sie sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V.

STMicroelectronics STGD4H60DF 600 V 4 A Hochgeschwindigkeits-IGBT der H-Baureihe

10.31.2023

- Mit einer fortschrittlichen trench-gate-field-stop-Struktur ausgelegt.

STMicroelectronics ACEPACK-DMT-32-Leistungsmodul M1F45M12W2-1LA

10.19.2023

- Entwickelt für die DC/DC-Wandlerstufe von Hybrid- und Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

10.01.2023

- Verwendet MDmesh K6-Technologie auf Basis von 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie.

STMicroelectronics SH63N65DM6AG Leistungs-MOSFET

08.18.2023

- Automotive-grade N-channel MDmesh DM6 half‑Brückentopologie-Leistungs-MOSFET mit 650 V Sperrspannung.

STMicroelectronics STL120N10F8 100-V-n-Kanal-STripFET-MOSFET

05.08.2023

- Das Bauelement nutzt die STripFET-F8-Technologie von ST, die eine verbesserte Trench-Gate-Struktur aufweist.

STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650 V 80 A HB-Baureihe IGBT

03.24.2023

- Verfügen über zwei IGBTs und Dioden in einem kompakten, robusten, oberflächenmontierbaren Gehäuse.

STMicroelectronics STD80N450K6 800 V 10 A MDmesh-K6-Leistungs-MOSFET

01.25.2023

- Hochspannungs-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Zener-Schutz und 100 % Avalanche.

STMicroelectronics STP80N450K6 800-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

10.19.2022

- Hochspannungs-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit der ultimativen MDmesh-K6-Technologie ausgelegt ist.

STMicroelectronics STL325N4LF8AG N-Channel Leistungs-MOSFET

06.24.2022

- Nutzt die STRipFET F8 Technologie und bietet einen verbesserten Trench GATE Aufbau.

STMicroelectronics STL320N4LF8 N-Kanal STripFET F8 Leistungs-MOSFET

06.21.2022

- Hergestellt mit STRipFET F8 Trench-MOSFET-Technologie.

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9 Leistungs-MOSFET

05.27.2022

- Für Mittel-/Hochspannung mit sehr niedrigem RDS(on) pro Fläche in Verbindung mit einer Fast-Recovery-Diode.

STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9 Leistungs-MOSFET

05.25.2022

- Entwickelt für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Fläche.

STMicroelectronics STD80N240K6 800 V 16 A MDmesh K6 Leistungs-MOSFET

05.04.2022

- Mit einer ausgezeichneten RDS(on) x Fläche und einem niedrigen Qg werden hohe Schaltgeschwindigkeiten und geringe Verluste erreicht.

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Filtern nach:

Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)

03.20.2026

- Normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse.

ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules

03.17.2026

- Features 1200V rated voltage in 41.6mm × 52.5mm package and integrates 4th Generation SiC MOSFETs.

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs

03.17.2026

- These are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [RDS(ON)].

Infineon Technologies Medium-Voltage CoolGaN™ Bidirectional Switches

03.17.2026

- These devices are a great fit for serving as battery disconnect switches in various applications.

onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

03.13.2026

- Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Qorvo QPD2560L 300 W GaN/SiC HEMT

03.09.2026

- Konzipiert für anspruchsvolle L-Band- Applikationen, die im Frequenzbereich 1.0 GHz bis 1,5 GHz arbeiten.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03.06.2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03.05.2026

- Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs

03.05.2026

- Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.

EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03.05.2026

- Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03.05.2026

- Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02.26.2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02.19.2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

TDK-Lambda i1R ORing-MOSFET-Module

02.05.2026

- Hocheffiziente und verlustarme Bauteile, die als Ersatz für herkömmliche Dioden konzipiert sind.

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02.02.2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.20.2026

- 15 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Qorvo QPD1011A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 7 W (P3dB), diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC-HEMTs, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz arbeiten.

Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren

01.19.2026

- 25 W diskrete, auf 50 Ω eingangsangepasste GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz betrieben werden.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

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