STMicroelectronics STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs
Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V, um alle Anforderungen für Lösungen mit sehr hoher Leistungsdichte zu erfüllen. Diese Niederspannungs-MOSFETs verfügen über die STPOWER StripFET F8-Technologie. Die STripFET F8-Technologie spart Energie und sorgt für geringe Rauschentwicklung in Stromumwandlungs-, Motorsteuerungs- und Stromverteilungsschaltungen, indem sie sowohl den Durchlasswiderstand als auch die Schaltverluste reduziert und gleichzeitig die Eigenschaften der Body-Diode optimiert. Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics vereinfachen das Systemdesign und steigern die Effizienz in Anwendungen wie Fahrzeugtechnik, Computer/Peripheriegeräte, Rechenzentren, Telekommunikation, Solarenergie, Netzteile/Wandler, Batterieladegeräte, Haushalts-/Profigeräte, Gaming, Drohnen und mehr.
Merkmale
- AEC-Q101 qualifiziert (Teile, die auf AG enden)
- Sehr geringe Leitungsverluste mit erhöhtem Wirkungsgrad und kompakten Designs
- Ausgeglichenheit der Body-Diode und geringe Gate-Drain-Ladung für hervorragendes Schaltverhalten
- Enge Streuung der GATE-Schwellenspannung für einfachere Parallelschaltungen
- Niedrige EMI-Emissionen
- Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1
- -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
- 100 % Avalanche-getestet
- Benetzbare Flanke, PowerFLAT 5 mm x 6 mm Gehäuse
- Nachhaltige Technologie
Applikationen
- STL160N10F8
- Strom für Server und Telekommunikation
- Industrielles Batteriemanagement-System (BMS)
- Elektrowerkzeuge
- Drohnen
- STL170N4LF8 und STL300N4LF8
- Industrielle Werkzeuge, Motorantriebe und Ausrüstungen
- Industrielle Motorsteuerung
- Netzteile und Wandler
- STL175N4LF8AG, STL305N4LF8AG, STL165N4F8AG und STK615N4F8AG
- Motorsteuerung im Automobilbereich
- Karosserie und Komfort
- Gehäuse und Sicherheit
- ICE-Antriebsstrang
- Schaltapplikationen für STL120N10F8, STL320N4LF8, STL325N4LF8AG und STL325N4LF8AG
Technische Daten
- Maximale Drain-Source-Spannungsoptionen: 40 V oder 100 V
- ±16 V oder ±20 V maximale Gate-Source-Spannungsoptionen
- 304 A bis 1492 A maximaler Drainstrombereich
- 111 W bis 188 W Verlustleistungsbereich insgesamt
- Einzelimpuls-Avalanche
- 60 A Strom
- Energiebereich: 140 mJ bis 590 mJ
- Dynamik-
- 2.600 pF bis 7.657 pF Kapazitätseingangsbereich
- Ausgangskapazitätsbereich: 680 pF bis 1968 pf
- Ein/Aus-Zustände
- 1 µA bis 100 µA null Gate-Spannung Drainstrom-Bereich
- Gate-Body-Ableitstrom von 100 nA
- 1,2 V bis 4 V maximaler Gate-Schwellenspannungsbereich
- Maximaler statischer Drain-Source-on-Widerstand: 0,75 mΩ bis 4,6 mΩ
Videos
Applikationsinfos
Empfohlene MOSFETs
STMicroelectronics STL120N10F8 100-V-n-Kanal-STripFET-MOSFET
Das Bauelement nutzt die STripFET-F8-Technologie von ST, die eine verbesserte Trench-Gate-Struktur aufweist.
STMicroelectronics STL325N4LF8AG N-Channel Leistungs-MOSFET
Nutzt die STRipFET F8 Technologie und bietet einen verbesserten Trench GATE Aufbau.
STMicroelectronics STL320N4LF8 N-Kanal STripFET F8 Leistungs-MOSFET
Hergestellt mit STRipFET F8 Trench-MOSFET-Technologie.
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